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热处理导致的Cu/Ni多层膜的扩散和微观结构变化

摘要第5-7页
ABSTRACT第7-8页
目录第9-11页
第一章 绪论第11-30页
    1.1 引言第11页
    1.2 多层膜的简介第11-12页
    1.3 多层膜超硬效应及其强化机理第12-15页
        1.3.1 Hall-Petch 强化机理第13页
        1.3.2 交变应力场理论第13页
        1.3.3 模量差异理论第13-14页
        1.3.4 Orowan 机制第14-15页
    1.4 多层膜制备方法第15-18页
        1.4.1 物理气相沉积第15-17页
        1.4.2 电化学沉积法第17-18页
    1.5 多层膜表征方法第18-26页
        1.5.1 X 射线衍射第18-20页
        1.5.2 X 射线光电子能谱和俄歇电子能谱第20-22页
        1.5.3 纳米压痕第22-24页
        1.5.4 扫描透射电镜及其能谱第24-26页
    1.6 多层膜的热稳定性第26-28页
    1.7 研究目的和意义第28-30页
第二章 Cu/Ni 多层膜制备和检测方法第30-34页
    2.1 Cu/Ni 纳米多层膜制备第30-31页
    2.2 热处理第31-32页
    2.3 薄膜检测设备及方法第32-34页
        2.3.1 X 射线光电子能谱仪第32页
        2.3.2 纳米压入硬度测试仪第32-33页
        2.3.3 透射电镜、扫描透射电镜第33-34页
第三章 Cu/Ni 多层膜形貌表征及热处理导致的微结构,界面成分,硬度演化第34-54页
    3.1 单层膜厚10 nm Cu/Ni 多层膜的结构和成分形貌表征及其热处理下的演化第34-46页
        3.1.1 单层膜厚10 nm Cu/Ni 多层膜微结构表征第34页
        3.1.2 调制周期和调制比的测量第34-36页
        3.1.3 薄膜各点的均匀性第36-37页
        3.1.4 Cu/Ni 多层膜中的孪晶第37-39页
        3.1.5 退火真空度对表面氧化的影响第39-41页
        3.1.6 热处理导致的单层膜厚10 nm Cu/Ni 多层膜微结构演化第41-44页
        3.1.7 热处理导致多层膜界面成分梯度变化第44-46页
    3.2 单层膜厚为40 nm 的Cu/Ni 多层膜形貌表征第46-48页
    3.3 Ni/Cu/Ni(90/190/90)三明治结构形貌表征第48-49页
    3.4 单层膜厚和热处理工艺对多层膜纳米硬度的影响第49-53页
        3.4.1 纳米硬度和膜厚的关系第49-50页
        3.4.2 纳米硬度和热处理工艺的关系第50-52页
        3.4.3 多层膜中位错运动阻力和界面成分梯度的关系第52-53页
    3.5 本章小结第53-54页
第四章 互溶型多层膜的互扩散模型第54-72页
    4.1 忽略应力的互扩散第54-64页
        4.1.1 空位源连续分布于晶体中的互扩散第54-56页
        4.1.2 空位源不连续分布于晶体中的互扩散第56-59页
        4.1.3 无空位源晶体中的互扩散第59-64页
    4.2 现有的考虑扩散导致的应力的互扩散模型第64-69页
        4.2.1 Larche 和Cahn 扩散处理第65-67页
        4.2.2 Stephenson 扩散模型中的应力处理第67-69页
    4.3 本文提出的考虑应力的互扩散模型第69-71页
    4.4 本章小结第71-72页
第五章 互溶型Cu/Ni 多层膜互扩散的模拟与讨论第72-93页
    5.1 共格应力第72-74页
        5.1.1 共格应力简介第72-73页
        5.1.2 扩散模型中共格应力的处理第73-74页
    5.2 扩散模型中空位源的处理第74-75页
    5.3 多层膜应力的处理第75-78页
        5.3.1 多层膜中应力场的计算第75-77页
        5.3.2 无应力应变的处理第77-78页
        5.3.3 多层膜内各点弹性模量的处理第78页
    5.4 控制方程的单位转换及其差分形式第78-80页
        5.4.1 控制方程的单位转换第78-79页
        5.4.2 扩散方程差分形式推导第79-80页
    5.5 模型参数选择第80-82页
        5.5.1 周期和边界条件选择第80-81页
        5.5.2 弛豫体积ΔV 选择第81-82页
    5.6 模拟结果及讨论第82-92页
        5.6.1 组元扩散系数差异和空位源对多层膜扩散的影响第83-85页
        5.6.2 共格应力对多层膜扩散的影响第85-92页
    5.7 本章小结第92-93页
第六章 结论和展望第93-95页
    6.1 结论第93-94页
    6.2 展望第94-95页
参考文献第95-101页
致谢第101-102页
攻读硕士期间发表的论文目录第102-105页

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