| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 制备二氧化硅纳米结构和微米结构的主要方法 | 第8-10页 |
| 1.2 二氧化硅纳米结构在太阳能电池中的应用 | 第10-12页 |
| 1.3 二氧化硅微米结构在立方碳化硅生长中的应用 | 第12-13页 |
| 1.4 论文提纲 | 第13-14页 |
| 第二章 二氧化硅微米结构的制备 | 第14-24页 |
| 2.1 光子光刻技术 | 第15-20页 |
| 2.1.1 硅片的选择 | 第16-17页 |
| 2.1.2 脱水 | 第17页 |
| 2.1.3 旋涂 | 第17页 |
| 2.1.4 紫外线曝光 | 第17-19页 |
| 2.1.5 显影 | 第19页 |
| 2.1.6 观察 | 第19-20页 |
| 2.2 反应离子刻蚀(RIE) | 第20-22页 |
| 2.2.1 二氧化硅的刻蚀 | 第20-22页 |
| 2.2.2 观察 | 第22页 |
| 2.3 结论 | 第22-24页 |
| 第三章 利用纳米压印技术制备二氧化硅纳米结构 | 第24-54页 |
| 3.1 利用电子束刻蚀技术制备硅模板 | 第24-38页 |
| 3.1.1 旋转涂胶 | 第25-26页 |
| 3.1.2 电子束刻蚀技术和深反应离子硅刻蚀 | 第26-38页 |
| 3.1.2.1 多次投射曝光与单次投射曝光 | 第30-35页 |
| 3.1.2.1.1 多次投射曝光 | 第30-32页 |
| 3.1.2.1.2 单次投射曝光 | 第32-34页 |
| 3.1.2.1.3 多次投射曝光与单次投射曝光结果对比分析 | 第34-35页 |
| 3.1.2.2 不同电流的单次投射曝光 | 第35-37页 |
| 3.1.2.3 电子束刻蚀技术的结果分析 | 第37-38页 |
| 3.1.3 分子气相沉积 | 第38页 |
| 3.2 使用纳米压印技术制备二氧化硅纳米结构 | 第38-49页 |
| 3.2.1 制备工艺介绍 | 第38-42页 |
| 3.2.2 使用CNI进行纳米压印 | 第42-45页 |
| 3.2.3 使用EVG压印机进行纳米压印 | 第45-47页 |
| 3.2.4 CNI与EVG压印结果对比 | 第47-49页 |
| 3.3 最终设计 | 第49-51页 |
| 3.4 结论 | 第51-54页 |
| 第四章 使用电子束刻蚀技术制备二氧化硅纳米结构 | 第54-60页 |
| 4.1 使用负性光刻胶的制备工艺 | 第54-56页 |
| 4.2 使用正性光刻胶的制备工艺 | 第56-58页 |
| 4.3 结论 | 第58-60页 |
| 第五章 结论与展望 | 第60-64页 |
| 5.1 结论 | 第60-61页 |
| 5.2 展望 | 第61-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 首字母缩略词表 | 第68-70页 |
| 化学式表 | 第70-72页 |
| 致谢 | 第72页 |