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半导体激光器封装及甲酸气体回流烧结技术

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
1 绪论第10-20页
    1.1 半导体激光器的发展第10-11页
    1.2 半导体激光器的工作原理第11-15页
        1.2.1 半导体激光器的粒子数反转条件第12-14页
        1.2.2 半导体激光器的阈值条件第14-15页
        1.2.3 光子反馈谐振第15页
    1.3 半导体激光器的应用第15-18页
        1.3.1 半导体激光器在军事领域的应用第15-17页
        1.3.2 半导体激光器在医疗领域的应用第17页
        1.3.3 半导体激光器在工业领域的应用第17-18页
    1.4 研究背景与研究内容第18-20页
        1.4.1 研究背景第18-19页
        1.4.2 研究内容第19-20页
2 半导体激光器的封装类型与封装工艺第20-30页
    2.1 半导体激光器的封装类型第20-23页
        2.1.1 C-Mount封装第20-21页
        2.1.2 TO封装第21-22页
        2.1.3 BTF封装第22-23页
        2.1.4 列阵封装第23页
    2.2 半导体激光器的封装工艺第23-29页
        2.2.1 焊料的制备第23-25页
        2.2.2 热沉的选择第25-27页
        2.2.3 烧结工艺第27页
        2.2.4 金丝键合第27-29页
    2.3 本章小结第29-30页
3 半导体激光器封装焊料和热沉的研究第30-37页
    3.1 铟焊料的研究第30-33页
        3.1.1 银层对铟焊料性能的影响第31-32页
        3.1.2 金层对铟焊料性能的影响第32-33页
    3.2 金锡焊料的研究第33-34页
    3.3 铜热沉第34-36页
    3.4 本章小结第36-37页
4 In焊料的制备与甲酸气体回流烧结技术第37-54页
    4.1 In焊料的制备第37-41页
        4.1.1 硅片衬底的清洗第37-38页
        4.1.2 In焊料的清洗第38-39页
        4.1.3 真空蒸发镀膜第39-40页
        4.1.4 镀膜厚度的计算第40-41页
    4.2 甲酸气体回流烧结技术原理与实验过程第41-43页
        4.2.1 实验原理第41页
        4.2.2 实验过程第41-43页
    4.3 结果与讨论第43-52页
        4.3.1 XRD分析第43-47页
        4.3.2 SEM图像分析第47-48页
        4.3.3 剪切强度分析第48-50页
        4.3.4 与直接滴入甲酸溶液对比分析第50-52页
    4.4 本章小结第52-54页
5 总结与不足之处第54-56页
    5.1 总结第54-55页
    5.2 不足之处第55-56页
参考文献第56-61页
个人简历、硕士期间的研究成果第61-62页
致谢第62页

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