摘要 | 第11-13页 |
Abstract | 第13-14页 |
第1章 绪论 | 第15-33页 |
1.1 半导体晶体管及其封装 | 第15-19页 |
1.1.1 晶体管简介 | 第15页 |
1.1.2 封装的作用及类型 | 第15-18页 |
1.1.3 金属封装工艺流程简介 | 第18-19页 |
1.2 陶瓷-金属封接工艺概况 | 第19-24页 |
1.2.1 陶瓷-金属封接发展及应用 | 第19-20页 |
1.2.2 陶瓷-金属封接工艺的分类 | 第20-24页 |
1.3 氧化铝陶瓷金属化简介 | 第24-27页 |
1.3.1 电真空器件用氧化铝陶瓷简介 | 第24-25页 |
1.3.2 氧化铝陶瓷金属化常用方法 | 第25-27页 |
1.4 活化钼锰法制备陶瓷金属化层 | 第27-31页 |
1.4.1 活化钼锰法简介 | 第27-28页 |
1.4.2 活化钼锰法研究现状 | 第28-29页 |
1.4.3 国内外管壳金属化层性能对比分析 | 第29-31页 |
1.5 论文的意义及研究内容 | 第31-33页 |
第2章 试验原料及研究方法 | 第33-39页 |
2.1 金属化配方基本体系 | 第33-35页 |
2.1.1 氧化铝瓷预处理 | 第33-34页 |
2.1.2 金属化膏剂的配制 | 第34-35页 |
2.1.3 金属化配方优化实验 | 第35页 |
2.2 烧结工艺优化 | 第35-36页 |
2.3 活化剂优化金属化配方 | 第36页 |
2.4 性能分析测试 | 第36-39页 |
2.4.1 金属化层外观检测 | 第36-37页 |
2.4.2 金属化层物相分析 | 第37页 |
2.4.3 金属化层表面形貌及成分分析 | 第37页 |
2.4.4 截面形貌及成分分析 | 第37页 |
2.4.5 抗拉强度测试 | 第37-39页 |
第3章 不同膏剂配比及烧结温度下金属化层的制备及性能研究 | 第39-59页 |
3.1 玻璃粉的配方设计 | 第39-43页 |
3.1.1 玻璃粉与陶瓷反应后外观 | 第39-40页 |
3.1.2 XRD物相分析 | 第40-41页 |
3.1.3 涂层微观形貌及成分分析 | 第41页 |
3.1.4 玻璃相-陶瓷界面分析 | 第41-43页 |
3.2 金属化膏剂配方的确定 | 第43-52页 |
3.2.1 不同钼粉配比下金属化层的外观形貌 | 第43-44页 |
3.2.2 不同钼粉配比下金属化层的相组成分析 | 第44-45页 |
3.2.3 不同钼粉配比下金属化层的表面微观形貌及成分分析 | 第45-48页 |
3.2.4 陶瓷-金属化层界面微观形貌及元素分布分析 | 第48-50页 |
3.2.5 钼粉配比对金属化层抗拉强度的影响 | 第50-51页 |
3.2.6 活化钼锰法制备金属化层机理分析 | 第51-52页 |
3.3 烧结温度对金属化层组织和性能的影响 | 第52-57页 |
3.3.1 不同烧结温度下金属化层的外观形貌 | 第52-53页 |
3.3.2 不同烧结温度下金属化层的相组成分析 | 第53-54页 |
3.3.3 不同烧结温度下金属化层的表面微观形貌及成分分析 | 第54-55页 |
3.3.4 烧结温度对金属化层抗拉强度的影响 | 第55-57页 |
3.4 本章小结 | 第57-59页 |
第4章 不同活化剂氧化物下金属化层的组织与性能 | 第59-73页 |
4.1 BaO对金属化层组织和性能的影响 | 第59-65页 |
4.1.1 不同BaO含量下金属化层的外观形貌 | 第59-60页 |
4.1.2 不同BaO含量下金属化层的相组成 | 第60页 |
4.1.3 不同BaO含量下金属化层的表面微观形貌及成分分析 | 第60-63页 |
4.1.4 陶瓷-金属化层界面微观形貌及元素分布 | 第63-64页 |
4.1.5 BaO对金属化层抗拉强度的影响 | 第64-65页 |
4.2 ZrO_2对金属化层组织和性能的影响 | 第65-72页 |
4.2.1 不同ZrO_2含量下金属化层的外观形貌 | 第65-66页 |
4.2.2 不同ZrO_2含量下金属化层的相组成 | 第66-67页 |
4.2.3 不同ZrO_2含量下金属化层的表面微观形貌及成分分析 | 第67-69页 |
4.2.4 陶瓷-金属化层界面微观形貌及元素分布 | 第69-70页 |
4.2.5 ZrO_2对金属化层抗拉强度的影响 | 第70-72页 |
4.3 本章小结 | 第72-73页 |
第5章 结论 | 第73-75页 |
参考文献 | 第75-81页 |
致谢 | 第81-82页 |
学位论文评阅及答辩情况表 | 第82页 |