| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-22页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第11-20页 |
| 1.1.1 存储器的发展历史 | 第11-16页 |
| 1.1.2 新型存储器的研究背景 | 第16-18页 |
| 1.1.3 CTM的发展现状 | 第18-19页 |
| 1.1.4 阻变存储器的发展现状 | 第19页 |
| 1.1.5 存储器的发展趋势及课题研究意义 | 第19-20页 |
| 1.2 本文组织结构 | 第20-22页 |
| 第2章 CTM和阻变存储器概述 | 第22-26页 |
| 2.1 CTM概述 | 第22-24页 |
| 2.1.1 CTM的结构和工作原理 | 第22-23页 |
| 2.1.2 CTM结构的材料选择 | 第23-24页 |
| 2.2 阻变存储器概述 | 第24-25页 |
| 2.2.1 阻变存储器的结构和工作原理 | 第24-25页 |
| 2.2.2 阻变存储器结构的材料选择 | 第25页 |
| 2.3 本章小结 | 第25-26页 |
| 第3章 基于单层钛酸锶钡薄膜的电荷俘获型存储器 | 第26-36页 |
| 3.1 引言 | 第26页 |
| 3.2 实验制备过程 | 第26-27页 |
| 3.3 测试及测试结果分析 | 第27-34页 |
| 3.3.1 器件微观结构与器件结构 | 第27-28页 |
| 3.3.2 器件的电压-电容测试 | 第28-29页 |
| 3.3.3 存储窗口随电压的变化 | 第29-30页 |
| 3.3.4 缺陷态分析与能级 | 第30-31页 |
| 3.3.5 器件的保持性能 | 第31-33页 |
| 3.3.6 写入/擦除速率和疲劳特性 | 第33-34页 |
| 3.4 本章小结 | 第34-36页 |
| 第4章 GQDs在CTM中的应用 | 第36-43页 |
| 4.1 引言 | 第36页 |
| 4.2 实验制备过程 | 第36页 |
| 4.3 实验结果及结论 | 第36-42页 |
| 4.3.1 电流电压分析 | 第37-39页 |
| 4.3.2 保持性能分析 | 第39-41页 |
| 4.3.3 微观结构分析 | 第41-42页 |
| 4.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 第5章 基于Zr_(0.5)Hf_(0.5)O_2薄膜的阈值开关现象 | 第43-48页 |
| 5.1 引言 | 第43页 |
| 5.2 实验制备过程 | 第43页 |
| 5.3 测试及测试结果分析 | 第43-47页 |
| 5.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 第6章 总结及展望 | 第48-50页 |
| 6.1 论文工作总述 | 第48-49页 |
| 6.2 未来的展望 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 攻读硕士期间取得的科研成果 | 第58页 |