摘要 | 第6-8页 |
abstract | 第8-9页 |
第一章 绪论 | 第10-16页 |
1.1 引言 | 第10-11页 |
1.2 研究现状 | 第11-14页 |
1.3 本论文的研究内容 | 第14-16页 |
第二章 实验方法和理论基础 | 第16-24页 |
2.1 密度泛函理论介绍 | 第16-18页 |
2.1.1 多粒子体系薛定谔方程 | 第16-17页 |
2.1.2 Hohenberg-Kohn定理 | 第17页 |
2.1.3 Kohn-Sham方程 | 第17-18页 |
2.2 交换关联能近似 | 第18-19页 |
2.2.1 局域密度近似(Local Density Approximation, LDA) | 第18-19页 |
2.2.2 广义梯度近似(Generalized Gradient Approximation, GGA) | 第19页 |
2.3 平面波基组和赝势 | 第19-20页 |
2.4 Z_2拓扑不变量的计算 | 第20-24页 |
第三章 二维ZnS的电子性质和光学性质 | 第24-30页 |
3.1 本章引言 | 第24页 |
3.2 理论模型的建立与计算 | 第24-25页 |
3.3 电子结构 | 第25-26页 |
3.4 光学特性 | 第26-28页 |
3.4.1 介电函数 | 第26-27页 |
3.4.2 光学吸收系数 | 第27页 |
3.4.3 折射率 | 第27-28页 |
3.4.4 反射率 | 第28页 |
3.4.5 电子损失函数 | 第28页 |
3.5 本章小结 | 第28-30页 |
第四章 掺杂和吸附二维ZnS纳米面的电子性质研究 | 第30-44页 |
4.1 本章引言 | 第30页 |
4.2 Ⅴ、Ⅵ族原子掺杂二维ZnS纳米面的电子性质的研究 | 第30-38页 |
4.2.1 理论模型的建立与计算 | 第30-32页 |
4.2.2 能带结构和态密度分析 | 第32-35页 |
4.2.3 光学性质 | 第35-38页 |
4.3 二维ZnS薄膜吸附的 3d过渡金属原子的电子性质 | 第38-42页 |
4.3.1 模型建立及计算方法 | 第38页 |
4.3.2 电荷密度与吸附能计算 | 第38-39页 |
4.3.3 ZnS吸附 3d过渡金属原子的电子性质 | 第39-42页 |
4.4 本章小结 | 第42-44页 |
第五章 全氢化对二维ZnS电子性质的影响 | 第44-50页 |
5.1 本章引言 | 第44页 |
5.2 模型建立及能带结构 | 第44-45页 |
5.3 双轴应力对二维全氢化ZnS结构和电子性质的影响 | 第45-48页 |
5.4 本章小结 | 第48-50页 |
第六章 ZnS在硅(111)衬底上的电子性质的研究 | 第50-56页 |
6.1 引言 | 第50页 |
6.2 模型建立与基态性质研究 | 第50-51页 |
6.3 能带与态密度分析 | 第51-54页 |
6.4 电子性质对于层间距和平面应力的响应 | 第54-55页 |
6.5 本章小结 | 第55-56页 |
第七章 AsCN几何结构及量子性质研究 | 第56-62页 |
7.1 本章引言 | 第56页 |
7.2 AsCN几何结构及量子性质研究 | 第56-60页 |
7.3 本章小结 | 第60-62页 |
第八章 结论和展望 | 第62-64页 |
参考文献 | 第64-72页 |
致谢 | 第72-74页 |
附录 | 第74页 |