| 摘要 | 第6-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 石墨烯简介 | 第9-11页 |
| 1.3 二硫化钼简介 | 第11-13页 |
| 1.4 本论文的主要研究内容 | 第13-15页 |
| 第二章 理论计算方法简介 | 第15-21页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第15-16页 |
| 2.2 绝热近似 | 第16-17页 |
| 2.3 紧束缚近似 | 第17-18页 |
| 2.4 VASP软件包简介 | 第18-21页 |
| 第三章 石墨烯超晶格电子特性的理论研究 | 第21-33页 |
| 3.1 引言 | 第21-22页 |
| 3.2 计算方法 | 第22页 |
| 3.3 计算结果和讨论 | 第22-30页 |
| 3.4 总结 | 第30-33页 |
| 第四章 二硫化钼掺杂结构电子特性的理论研究 | 第33-49页 |
| 4.1 引言 | 第33页 |
| 4.2 计算方法 | 第33-34页 |
| 4.3 计算结果与讨论 | 第34-46页 |
| 4.3.1 Co掺杂二硫化钼结构的电子特性的研究 | 第34-40页 |
| 4.3.2 Mn掺杂二硫化钼结构的电子特性的研究 | 第40-46页 |
| 4.4 总结 | 第46-49页 |
| 第五章 结论和展望 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-61页 |
| 致谢 | 第61-63页 |
| 附录 | 第63-64页 |