| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 课题背景及研究目的和意义 | 第10-12页 |
| 1.2 可见光波段下全光开关研究现状 | 第12-14页 |
| 1.3 可调谐超材料研究现状 | 第14-17页 |
| 1.4 基于石墨烯的太赫兹超材料研究现状 | 第17-19页 |
| 1.5 本论文主要研究内容及框架 | 第19-20页 |
| 第2章 超材料的基本理论及实现 | 第20-27页 |
| 2.1 超材料的负折射现象 | 第20-22页 |
| 2.2 超材料的负介电常数与负磁导率 | 第22-25页 |
| 2.2.1 负介电常数的实现 | 第22-23页 |
| 2.2.2 负磁导率的实现 | 第23-25页 |
| 2.3 基于半导体的光可调谐超材料的实现 | 第25-26页 |
| 2.4 本章小结 | 第26-27页 |
| 第3章 太赫兹波段下全光开关的数值仿真 | 第27-34页 |
| 3.1 开口环谐振器与电开口环谐振器的电磁响应仿真 | 第27-28页 |
| 3.1.1 开口环模型建立 | 第27-28页 |
| 3.1.2 电开口环模型建立 | 第28页 |
| 3.2 仿真结果分析 | 第28-30页 |
| 3.3 光响应模型的建立 | 第30-31页 |
| 3.3.1 改进开口环谐振器仿真模型 | 第30-31页 |
| 3.3.2 改进的电开口环谐振器仿真模型 | 第31页 |
| 3.4 仿真分析 | 第31-33页 |
| 3.5 本章小结 | 第33-34页 |
| 第4章 基于离子注入的全光开关制备 | 第34-43页 |
| 4.1 离子注入工艺 | 第34-35页 |
| 4.2 太赫兹全光开关的制备 | 第35页 |
| 4.2.1 超材料样品的制备工艺设计 | 第35页 |
| 4.3 太赫兹全光开关样品的制备 | 第35-39页 |
| 4.4 测试仪器 | 第39-40页 |
| 4.4.1 太赫兹时域光谱系统 | 第39页 |
| 4.4.2 半导体激光器 | 第39-40页 |
| 4.5 测试结果 | 第40-42页 |
| 4.6 本章小结 | 第42-43页 |
| 第5章 基于石墨烯二维材料的光开关研究 | 第43-47页 |
| 5.1 石墨烯转移工艺 | 第43-44页 |
| 5.2 测试结果 | 第44-45页 |
| 5.3 改进的开口环太赫兹全光开关 | 第45-46页 |
| 5.4 本章小结 | 第46-47页 |
| 结论 | 第47-49页 |
| 参考文献 | 第49-55页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56页 |