| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 Si基激光器的发展现状 | 第9-10页 |
| 1.2 研究内容和意义 | 第10-11页 |
| 1.3 论文内容结构 | 第11-12页 |
| 参考文献 | 第12-15页 |
| 第二章 半导体材料的制备与表征 | 第15-26页 |
| 2.1 MOCVD简介 | 第15-17页 |
| 2.2 半导体材料的表征 | 第17-21页 |
| 2.3 半导体材料的组分确定及生长速率测定 | 第21-24页 |
| 2.4 本章小结 | 第24-25页 |
| 参考文献 | 第25-26页 |
| 第三章 GaAs/Si异变外延研究 | 第26-47页 |
| 3.1 GaAs/Si异变外延难点和发展现状 | 第26-29页 |
| 3.1.1 GaAs/Si异变外延难点 | 第26-29页 |
| 3.1.2 GaAs/Si异变外延的发展现状 | 第29页 |
| 3.2 GaAs/Si异变外延的三步法生长 | 第29-31页 |
| 3.3 GaAs/Si异变外延的其他方法 | 第31-42页 |
| 3.3.1 无定形硅缓冲层法 | 第31-33页 |
| 3.3.3 量子点位错阻挡层法 | 第33-35页 |
| 3.3.4 无掩膜纳米级图形衬底法 | 第35-42页 |
| 3.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-47页 |
| 第四章 Si基InGaAs/GaAs量子阱激光器的材料生长 | 第47-62页 |
| 4.1 影响材料生长的因素 | 第47-48页 |
| 4.2 GaAs基980nm InGaAs/GaAs量子阱激光器材料的生长 | 第48-50页 |
| 4.3 高质量Si基InGaAs/GaAs量子阱生长 | 第50-54页 |
| 4.4 Si基激光器材料的生长和表征 | 第54-60页 |
| 4.5 本章小结 | 第60页 |
| 参考文献 | 第60-62页 |
| 第五章 Si基量子阱激光器制作工艺研究和测试结果 | 第62-67页 |
| 5.1 GaAs基激光器芯片的后工艺制作流程 | 第62-63页 |
| 5.2 Si基激光器芯片的制作 | 第63-64页 |
| 5.3 激光器芯片的测试与分析 | 第64-66页 |
| 5.4 本章小结 | 第66页 |
| 参考文献 | 第66-67页 |
| 第六章 总结与展望 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69-71页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第71页 |
