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氰根离子识别受体的合成及性能研究

摘要第4-6页
abstract第6-7页
第一章 绪论第11-34页
    1.1 引言第11页
    1.2 离子识别原理及意义第11-12页
    1.3 氰化物识别的意义第12-13页
    1.4 氰根离子识别传感器的研究进展第13-32页
        1.4.1 去质子类氰根离子传感器第13-17页
        1.4.2 氢键作用类氰根离子传感器第17-20页
        1.4.3 加成反应类氰根离子传感器第20-27页
        1.4.4 与金属配合物中的金属发生置换作用的氰根离子传感器第27-29页
        1.4.5 与金属配合物中的金属发生配位作用的氰根离子传感器第29-30页
        1.4.6 基于其他原理的氰根离子传感器第30-32页
    1.5 课题背景与意义第32-34页
第二章 基于水杨醛腙基团的氰根离子光学传感器的合成及性能研究第34-43页
    2.1 引言第34-35页
    2.2 实验部分第35-36页
        2.2.1 仪器与试剂第35页
        2.2.2 受体分子S1的合成与表征第35-36页
        2.2.3 紫外-可见吸收光谱实验第36页
        2.2.4 荧光光谱实验第36页
        2.2.5 ~1H NMR实验第36页
    2.3 结果与讨论第36-42页
        2.3.1 主体S1对阴离子的紫外及荧光光谱性能第36-37页
        2.3.2 滴定实验第37-38页
        2.3.3 荧光最低检测限第38-39页
        2.3.4 主体S1对CN~-识别机理第39-40页
        2.3.5 基于主体S1的CN~-检测试纸的制备第40-41页
        2.3.6 Na~+对主体分子识别性能影响的研究第41-42页
    2.4 结论第42-43页
第三章 基于异烟肼基团的氰根离子光学传感器的合成及性能研究第43-52页
    3.1 引言第43-44页
    3.2 实验部分第44-46页
        3.2.1 仪器与试剂第44页
        3.2.2 受体分子S2的合成与表征第44-45页
        3.2.3 紫外-可见吸收光谱实验第45页
        3.2.4 荧光光谱实验第45页
        3.2.5 ~1H NMR实验第45-46页
    3.3 结果与讨论第46-51页
        3.3.1 主体S2对阴离子的比色及荧光光谱性能第46-47页
        3.3.2 主体S2的滴定实验第47页
        3.3.3 主体S2在不同pH值下的检测能力第47-48页
        3.3.4 荧光最低检测限第48页
        3.3.5 主体S2对CN~-识别机理第48-50页
        3.3.6 基于受体S2的CN~-检测试纸的制备第50页
        3.3.7 主体分子对苦杏仁中氰化物的研究第50-51页
    3.4 结论第51-52页
第四章 基于苯并噻唑基团的氰根离子光学传感器的合成及性能研究第52-61页
    4.1 引言第52-53页
    4.2 实验部分第53-54页
        4.2.1 仪器与试剂第53页
        4.2.2 受体分子S3的合成与表征第53页
        4.2.3 紫外-可见吸收光谱实验第53-54页
        4.2.4 荧光光谱实验第54页
        4.2.5 ~1H NMR实验第54页
    4.3 结果与讨论第54-60页
        4.3.1 主体S3对阴离子的比色及荧光光谱性能第54-55页
        4.3.2 主体分子S3的滴定实验第55-56页
        4.3.3 主体分子S3对CN~-的抗干扰性能的研究第56-57页
        4.3.4 荧光最低检测限第57-58页
        4.3.5 主体S3对CN~-识别机理第58页
        4.3.6 基于受体S3的CN~-检测试纸的制备第58-60页
    4.4 结论第60-61页
总结与展望第61-62页
致谢第62-63页
参考文献第63-70页
附录A 核磁、质谱、红外图第70-80页
攻读学位期间的研究成果第80页

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