真空蒸发法制备氧化钒薄膜的工艺研究
| 目录 | 第5-7页 |
| 第一章 前言 | 第7-9页 |
| 第二章 氧化钒薄膜的特性 | 第9-17页 |
| 2.1 氧化钒的晶体结构与性质 | 第9-11页 |
| 2.2 氧化钒的相变特性 | 第11-13页 |
| 2.2.1 VO2的相变特性 | 第11-12页 |
| 2.2.2 关于VO2相变的理论 | 第12-13页 |
| 2.2.3 V2O5的相变特性 | 第13页 |
| 2.3 降低氧化钒薄膜转变温度的方法 | 第13-15页 |
| 2.4 提高电阻温度系数的方法 | 第15-17页 |
| 第三章 氧化钒薄膜的制备技术 | 第17-27页 |
| 3.1 真空技术基础 | 第17-21页 |
| 3.1.1 真空及其单位 | 第17-18页 |
| 3.1.2 真空区域的划分 | 第18-19页 |
| 3.1.3 真空的获得 | 第19页 |
| 3.1.4 真空的测量 | 第19-21页 |
| 3.2 真空蒸发镀膜法 | 第21-24页 |
| 3.3 磁控溅射镀膜法 | 第24-25页 |
| 3.4 其它镀膜方法 | 第25-27页 |
| 3.4.1 溶胶-凝胶法(sol-gel) | 第25-26页 |
| 3.4.2 脉冲激光沉积 | 第26页 |
| 3.4.3 液相沉积法和热分解法等 | 第26-27页 |
| 第四章 真空蒸发法制备薄膜的相关理论 | 第27-41页 |
| 4.1 薄膜的形成 | 第27-33页 |
| 4.1.1 凝结过程 | 第27-30页 |
| 4.1.2 核的形成与生长 | 第30-31页 |
| 4.1.3 岛形成与结合生长过程 | 第31-33页 |
| 4.2 薄膜的力学性质 | 第33-38页 |
| 4.2.1 薄膜的附着性质 | 第33-35页 |
| 4.2.2 薄膜的内应力性质 | 第35-38页 |
| 4.3 薄膜的结构与缺陷 | 第38-41页 |
| 4.3.1 薄膜的组织结构 | 第38-39页 |
| 4.3.2 薄膜的晶体结构 | 第39页 |
| 4.3.3 薄膜的表面结构 | 第39页 |
| 4.3.4 薄膜的缺陷 | 第39-41页 |
| 第五章 氧化钒薄膜的应用 | 第41-44页 |
| 第六章 实验方法与过程 | 第44-48页 |
| 6.1 实验内容 | 第44页 |
| 6.2 实验仪器及试剂 | 第44-45页 |
| 6.3 实验过程 | 第45-48页 |
| 6.3.1 基片的清洗方法 | 第45页 |
| 6.3.2 薄膜制备 | 第45-46页 |
| 6.3.3 真空退火 | 第46页 |
| 6.3.4 蒸镀铜电极 | 第46-47页 |
| 6.3.5 电阻温度特性测试 | 第47-48页 |
| 第七章 实验结果与讨论 | 第48-61页 |
| 7.1 真空蒸发法与真空退火法的结合 | 第48-50页 |
| 7.2 基片不同对薄膜性能的影响 | 第50-51页 |
| 7.3 基片温度不同对薄膜性能的影响 | 第51-56页 |
| 7.4 薄膜厚度不同对薄膜性能的影响 | 第56-58页 |
| 7.5 电极结构不同对薄膜性能的影响 | 第58-61页 |
| 第八章 结论 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-65页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第65-66页 |
| 致 谢 | 第66页 |
