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基于光栅单色仪的光谱发射率测量装置

摘要第4-6页
ABSTRACT第6-7页
第一章 绪论第11-17页
    1.1 研究背景与意义第11-12页
    1.2 发射率测量技术研究现状第12-14页
        1.2.1 量热法第13页
        1.2.2 反射法第13-14页
        1.2.3 能量对比法第14页
        1.2.4 多波长法第14页
    1.3 发射率测量存在问题分析第14-15页
    1.4 研究内容第15-17页
第二章 能量对比法发射率测量技术基础理论第17-25页
    2.1 热辐射基本理论第17-22页
        2.1.1 黑体辐射基本定律第17-20页
        2.1.2 发射率的各种形式及其定义第20-22页
    2.2 能量对比法发射率测量技术原理第22-24页
    2.3 本章小结第24-25页
第三章 基于光栅单色仪光谱发射率测量装置第25-35页
    3.1 装置基本测量原理第25页
    3.2 测量装置整体介绍第25-32页
        3.2.1 平板加热炉及温控装置第26-28页
        3.2.2 黑体炉第28-29页
        3.2.3 光栅单色仪第29-30页
        3.2.4 锁相放大器及斩波器第30-31页
        3.2.5 离轴抛物面反射镜及电动旋转台第31-32页
    3.3 光谱发射率测量装置性能测试第32-34页
        3.3.1 纯钛TA2光谱发射率测试第32-33页
        3.3.2 测量不确定度评定第33-34页
    3.4 本章小结第34-35页
第四章 纯铝及铝合金光谱发射率研究第35-49页
    4.1 引言第35-36页
    4.2 纯铝光谱发射率研究第36-44页
        4.2.1 样品制备第36-37页
        4.2.2 氩气保护下纯铝的光谱发射率第37-39页
        4.2.3 纯铝在不同温度下氧化 4h后的光谱发射率第39-40页
        4.2.4 纯铝在 873K不同氧化时间的光谱发射率第40-44页
    4.3 铝合金Al5052波长 1.55μm处光谱发射率研究第44-48页
        4.3.1 样品制备第45-46页
        4.3.2 Al5052光谱发射率与温度之间的关系第46-47页
        4.3.3 Al5052光谱发射率与加热时间之间的关系第47-48页
    4.4 本章小结第48-49页
第五章 铜光谱发射率研究第49-57页
    5.1 引言第49-50页
    5.2 铜波长 1.55μm处光谱发射率研究第50-55页
        5.2.1 样品处理第50页
        5.2.2 温度对铜光谱发射率的影响第50-52页
        5.2.3 氧化膜厚度对光谱发射率的影响第52-54页
        5.2.4 加热时间对光谱发射率的影响第54-55页
    5.3 本章小结第55-57页
第六章 总结与展望第57-59页
    6.1 主要研究内容及结果第57页
    6.2 展望第57-59页
参考文献第59-63页
致谢第63-65页
攻读硕士学位期间发表的论文目录第65-66页

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