摘要 | 第4-6页 |
ABSTRACT | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第11-17页 |
1.1 研究背景与意义 | 第11-12页 |
1.2 发射率测量技术研究现状 | 第12-14页 |
1.2.1 量热法 | 第13页 |
1.2.2 反射法 | 第13-14页 |
1.2.3 能量对比法 | 第14页 |
1.2.4 多波长法 | 第14页 |
1.3 发射率测量存在问题分析 | 第14-15页 |
1.4 研究内容 | 第15-17页 |
第二章 能量对比法发射率测量技术基础理论 | 第17-25页 |
2.1 热辐射基本理论 | 第17-22页 |
2.1.1 黑体辐射基本定律 | 第17-20页 |
2.1.2 发射率的各种形式及其定义 | 第20-22页 |
2.2 能量对比法发射率测量技术原理 | 第22-24页 |
2.3 本章小结 | 第24-25页 |
第三章 基于光栅单色仪光谱发射率测量装置 | 第25-35页 |
3.1 装置基本测量原理 | 第25页 |
3.2 测量装置整体介绍 | 第25-32页 |
3.2.1 平板加热炉及温控装置 | 第26-28页 |
3.2.2 黑体炉 | 第28-29页 |
3.2.3 光栅单色仪 | 第29-30页 |
3.2.4 锁相放大器及斩波器 | 第30-31页 |
3.2.5 离轴抛物面反射镜及电动旋转台 | 第31-32页 |
3.3 光谱发射率测量装置性能测试 | 第32-34页 |
3.3.1 纯钛TA2光谱发射率测试 | 第32-33页 |
3.3.2 测量不确定度评定 | 第33-34页 |
3.4 本章小结 | 第34-35页 |
第四章 纯铝及铝合金光谱发射率研究 | 第35-49页 |
4.1 引言 | 第35-36页 |
4.2 纯铝光谱发射率研究 | 第36-44页 |
4.2.1 样品制备 | 第36-37页 |
4.2.2 氩气保护下纯铝的光谱发射率 | 第37-39页 |
4.2.3 纯铝在不同温度下氧化 4h后的光谱发射率 | 第39-40页 |
4.2.4 纯铝在 873K不同氧化时间的光谱发射率 | 第40-44页 |
4.3 铝合金Al5052波长 1.55μm处光谱发射率研究 | 第44-48页 |
4.3.1 样品制备 | 第45-46页 |
4.3.2 Al5052光谱发射率与温度之间的关系 | 第46-47页 |
4.3.3 Al5052光谱发射率与加热时间之间的关系 | 第47-48页 |
4.4 本章小结 | 第48-49页 |
第五章 铜光谱发射率研究 | 第49-57页 |
5.1 引言 | 第49-50页 |
5.2 铜波长 1.55μm处光谱发射率研究 | 第50-55页 |
5.2.1 样品处理 | 第50页 |
5.2.2 温度对铜光谱发射率的影响 | 第50-52页 |
5.2.3 氧化膜厚度对光谱发射率的影响 | 第52-54页 |
5.2.4 加热时间对光谱发射率的影响 | 第54-55页 |
5.3 本章小结 | 第55-57页 |
第六章 总结与展望 | 第57-59页 |
6.1 主要研究内容及结果 | 第57页 |
6.2 展望 | 第57-59页 |
参考文献 | 第59-63页 |
致谢 | 第63-65页 |
攻读硕士学位期间发表的论文目录 | 第65-66页 |