| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 铁电薄膜场效应晶体管 | 第9-14页 |
| 1.1.1 薄膜晶体管简介 | 第9-10页 |
| 1.1.2 铁电TFT器件结构及工作原理 | 第10-13页 |
| 1.1.3 铁电TFT存在的问题及研究趋势 | 第13-14页 |
| 1.2 大面积铁电TFT阵列 | 第14-16页 |
| 1.2.1 大面积薄膜制备工艺发展历程 | 第14-15页 |
| 1.2.2 大面积铁电TFT阵列的应用及发展现状 | 第15-16页 |
| 1.2.3 大面积铁电TFT阵列的关键问题 | 第16页 |
| 1.3 本论文的选题依据和主要内容 | 第16-18页 |
| 1.3.1 选题依据 | 第16-17页 |
| 1.3.2 主要内容 | 第17-18页 |
| 第2章 BNT薄膜的PLD法制备与性能优化 | 第18-28页 |
| 2.1 引言 | 第18页 |
| 2.2 BNT薄膜的PLD法制备及性能表征方法 | 第18-21页 |
| 2.3 PLD工艺参数对BNT薄膜生长的影响 | 第21-27页 |
| 2.3.1 激光能量对BNT薄膜性能的影响 | 第21-22页 |
| 2.3.2 氧气压强对BNT薄膜性能的影响 | 第22-23页 |
| 2.3.3 衬底温度对BNT薄膜性能的影响 | 第23-27页 |
| 2.4 小结 | 第27-28页 |
| 第3章 大面积BNT薄膜的制备与表征 | 第28-38页 |
| 3.1 引言 | 第28页 |
| 3.2 大面积BNT薄膜的PLD法制备 | 第28-30页 |
| 3.3 大面积BNT薄膜的表征 | 第30-36页 |
| 3.3.1 大面积BNT薄膜的厚度均匀性 | 第30-31页 |
| 3.3.2 大面积BNT薄膜的成分均匀性 | 第31-32页 |
| 3.3.3 大面积BNT薄膜的结晶均匀性 | 第32-33页 |
| 3.3.4 大面积BNT薄膜的光学性能均匀性 | 第33-34页 |
| 3.3.5 大面积BNT薄膜的电学性能均匀性 | 第34-36页 |
| 3.4 小结 | 第36-38页 |
| 第4章 ZnO/BNT铁电TFT的制备与表征 | 第38-45页 |
| 4.1 引言 | 第38页 |
| 4.2 ZnO薄膜的制备与性能表征 | 第38-40页 |
| 4.2.1 ZnO薄膜的制备过程 | 第38页 |
| 4.2.2 ZnO薄膜的微观结构与电学性能 | 第38-40页 |
| 4.3 ZnO/SiO2 TFT的制备及性能研究 | 第40页 |
| 4.4 ZnO/BNT TFT的制备及性能研究 | 第40-43页 |
| 4.4.1 BNT薄膜影响TFT性能的物理机制 | 第40-42页 |
| 4.4.2 ZnO/BNT铁电TFT的晶体管性能 | 第42-43页 |
| 4.5 小结 | 第43-45页 |
| 第5章 ZnO/BNT铁电TFT阵列的制备与表征 | 第45-53页 |
| 5.1 引言 | 第45页 |
| 5.2 ZnO/BNT铁电TFT阵列的制备工艺 | 第45页 |
| 5.3 BNT薄膜厚度对ZnO/BNT铁电TFT性能的影响 | 第45-47页 |
| 5.4 ZnO/BNT铁电TFT阵列的性能 | 第47-51页 |
| 5.4.1 ZnO/BNT铁电TFT阵列的微观结构 | 第47-49页 |
| 5.4.2 ZnO/BNT铁电TFT阵列的输出特性 | 第49页 |
| 5.4.3 ZnO/BNT铁电TFT阵列的转移特性 | 第49-51页 |
| 5.5 小结 | 第51-53页 |
| 第6章 总结与展望 | 第53-56页 |
| 6.1 论文总结 | 第53-54页 |
| 6.2 研究展望 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 个人简历 | 第62页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及专利 | 第62页 |
