| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 符号对照表 | 第13-15页 |
| 缩略语对照表 | 第15-19页 |
| 第一章 绪论 | 第19-29页 |
| 1.1 纳米CMOS器件存在的主要问题及解决措施 | 第19-24页 |
| 1.1.1 栅工程技术 | 第21-22页 |
| 1.1.2 沟道工程和超浅结技术 | 第22-23页 |
| 1.1.3 新型器件结构 | 第23-24页 |
| 1.2 应变硅技术及其发展 | 第24-26页 |
| 1.3 论文的主要研究工作和研究内容 | 第26-29页 |
| 第二章 应变硅SOI技术及短沟道SOI MOSFET基础理论 | 第29-47页 |
| 2.1 SOI技术 | 第29-30页 |
| 2.2 应变硅技术 | 第30-34页 |
| 2.2.1 应变硅晶格结构 | 第31-32页 |
| 2.2.2 应变硅能带结构 | 第32-33页 |
| 2.2.3 应变硅SOI器件 | 第33-34页 |
| 2.3 SOI MOSFET器件的基本特性 | 第34-37页 |
| 2.3.1 短沟道效应 | 第35页 |
| 2.3.2 漏致势垒降低效应 | 第35-36页 |
| 2.3.3 浮体效应 | 第36页 |
| 2.3.4 自加热效应 | 第36-37页 |
| 2.4 短沟道全耗尽SOI MOSFET建模基础 | 第37-43页 |
| 2.4.1 抛物线近似模型 | 第37-40页 |
| 2.4.2 准二维模型 | 第40-43页 |
| 2.5 全耗尽SOI MOSFET的亚阈值模型 | 第43-46页 |
| 2.6 本章小结 | 第46-47页 |
| 第三章 单Halo全耗尽应变Si SOI MOSFET性能分析 | 第47-69页 |
| 3.1 Halo LDD MOSFET器件 | 第47-52页 |
| 3.1.1 Halo器件结构 | 第48-50页 |
| 3.1.2 Halo结构的主要工艺流程及主要注入参数 | 第50-52页 |
| 3.2 Halo MOS器件的理论分析 | 第52-56页 |
| 3.2.1 体硅Halo器件结构的理论分析 | 第52-55页 |
| 3.2.2 SOI Halo器件结构的理论分析 | 第55-56页 |
| 3.3 单Halo全耗尽应变Si SOI MOSFET的性能研究 | 第56-67页 |
| 3.3.1 单Halo全耗尽应变Si SOI MOSFET的提出 | 第57-58页 |
| 3.3.2 单Halo全耗尽应变Si SOI MOSFET能带结构及参数模型 | 第58-60页 |
| 3.3.3 泊松方程的建立及边界条件的确定 | 第60-61页 |
| 3.3.4 二维表面势模型 | 第61-62页 |
| 3.3.5 二维阈值电压模型 | 第62-63页 |
| 3.3.6 结果与分析 | 第63-67页 |
| 3.4 本章小结 | 第67-69页 |
| 第四章 新型双栅应变Si SOI MOSFET性能分析 | 第69-89页 |
| 4.1 新型双栅MOSFET的提出背景 | 第69-72页 |
| 4.1.1 传统单栅应变Si器件存在的主要问题 | 第69-70页 |
| 4.1.2 双栅器件的优点 | 第70页 |
| 4.1.3 新型栅MOSFET器件结构介绍 | 第70-72页 |
| 4.2 堆叠栅介质对称双栅单Halo应变Si SOI MOSFET的研究 | 第72-79页 |
| 4.2.1 泊松方程的建立及边界条件的确定 | 第72-73页 |
| 4.2.2 二维表面势模型 | 第73-74页 |
| 4.2.3 二维阈值电压模型 | 第74-75页 |
| 4.2.4 结果与分析 | 第75-79页 |
| 4.3 对称三材料双栅应变Si SOI MOSFET的研究 | 第79-87页 |
| 4.3.1 对称三材料双栅应变Si SOI MOSFET器件的提出 | 第79-80页 |
| 4.3.2 泊松方程的建立及边界条件的确定 | 第80-81页 |
| 4.3.3 二维表面势模型 | 第81-82页 |
| 4.3.4 二维阈值电压模型 | 第82-83页 |
| 4.3.5 结果与分析 | 第83-87页 |
| 4.4 本章小结 | 第87-89页 |
| 第五章 非对称Halo异质栅应变Si SOI MOSFET性能分析 | 第89-101页 |
| 5.1 非对称Halo异质栅应变Si SOI MOSFET提出背景 | 第89-91页 |
| 5.2 非对称Halo异质栅应变Si SOI MOSFET的研究 | 第91-100页 |
| 5.2.1 器件结构及应变量修正 | 第91-92页 |
| 5.2.2 泊松方程的建立及边界条件的确定 | 第92-93页 |
| 5.2.3 二维表面势模型 | 第93-95页 |
| 5.2.4 二维阈值电压模型 | 第95页 |
| 5.2.5 结果与分析 | 第95-100页 |
| 5.3 本章小结 | 第100-101页 |
| 第六章 结论和展望 | 第101-105页 |
| 6.1 研究结论 | 第101-102页 |
| 6.2 研究展望 | 第102-105页 |
| 参考文献 | 第105-115页 |
| 致谢 | 第115-117页 |
| 作者简介 | 第117-118页 |
