| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-23页 |
| 1.1 部分相干光简介 | 第15-17页 |
| 1.1.1 部分相干光的概念 | 第15页 |
| 1.1.2 部分相干光的分类 | 第15-16页 |
| 1.1.3 部分相干光的应用 | 第16-17页 |
| 1.2 部分相干光的产生方法 | 第17-19页 |
| 1.2.1 旋转毛玻璃法 | 第17-18页 |
| 1.2.2 液晶空间光调制器 | 第18页 |
| 1.2.3 激光器腔内调制 | 第18页 |
| 1.2.4 多路相位调制的光纤阵列 | 第18-19页 |
| 1.3 部分相干光研究现状 | 第19-20页 |
| 1.4 光束合成的研究现状 | 第20-21页 |
| 1.5 本文小结 | 第21-23页 |
| 第二章 部分相干光相干性理论 | 第23-39页 |
| 2.1 光的相干性理论 | 第23-29页 |
| 2.1.1 光的部分相干性 | 第23-25页 |
| 2.1.2 光的时间相干性 | 第25-28页 |
| 2.1.3 光的空间相干性 | 第28-29页 |
| 2.2 部分相干光相干性描述 | 第29-33页 |
| 2.2.1 交叉谱密度函数 | 第30页 |
| 2.2.2 高斯-谢尔模型光束 | 第30-31页 |
| 2.2.3 部分相干光场中的高阶关联函数 | 第31-33页 |
| 2.3 部分相干光传输时的相干性变化 | 第33-37页 |
| 2.3.1 部分相干光的传输模型 | 第33-35页 |
| 2.3.2 优化相干长度的意义 | 第35-36页 |
| 2.3.3 横向相干长度的计算 | 第36-37页 |
| 2.4 本章小结 | 第37-39页 |
| 第三章 阵列合成光场及相干性仿真 | 第39-53页 |
| 3.1 阵列光束合成光场的远场分布 | 第39-46页 |
| 3.1.1 相干合成条件 | 第39页 |
| 3.1.2 阵列光束的远场分布的理论模型 | 第39-42页 |
| 3.1.3 阵列光束远场分布仿真计算 | 第42-46页 |
| 3.2 部分相干光的强度关联系数仿真 | 第46-51页 |
| 3.2.1 高斯随机相位下的强度关联系数 | 第46-47页 |
| 3.2.2 均匀随机相位的强度关联系数 | 第47-48页 |
| 3.2.3 传输距离对相干性的影响 | 第48-49页 |
| 3.2.4 阵元间距对空间相干性影响的分析 | 第49-50页 |
| 3.2.5 固定间距不同阵元数目对空间相干性的影响 | 第50-51页 |
| 3.3 本章小结 | 第51-53页 |
| 第四章 光纤阵列产生部分相干光实验 | 第53-65页 |
| 4.1 实验装置介绍 | 第54-56页 |
| 4.1.1 铌酸锂相位调制器介绍 | 第54-55页 |
| 4.1.2 相位调制器驱动电路系统介绍 | 第55-56页 |
| 4.1.3 光纤阵列 | 第56页 |
| 4.2 实验系统测试 | 第56-64页 |
| 4.2.1 相位调制器的相位-电压（V -φ）测试 | 第56-59页 |
| 4.2.2 阵列光源光强分布和空间相干性测试 | 第59-64页 |
| 4.3 本章小结 | 第64-65页 |
| 总结与展望 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 致谢 | 第71-73页 |
| 作者简介 | 第73-74页 |