| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-28页 |
| 1.1 Si C器件可靠性的研究背景 | 第16-18页 |
| 1.1.1 Si C材料的优势和高温特性 | 第16-17页 |
| 1.1.2 Si C高温器件的应用 | 第17-18页 |
| 1.2 Si C器件高温可靠性的研究进展 | 第18-22页 |
| 1.3 4H-Si C Pi N二极管的高温可靠性 | 第22-25页 |
| 1.3.1 4H-Si C Pi N二极管常见结构 | 第22-23页 |
| 1.3.2 Si C Pi N二极管的高温应用优势 | 第23-24页 |
| 1.3.3 Si C Pi N二极管的高温特性研究 | 第24-25页 |
| 1.4 本文的主要工作 | 第25-28页 |
| 第二章 4H-Si C Pi N二极管高温模型 | 第28-38页 |
| 2.1 4H-Si C Pi N二极管高温物理模型分析 | 第28-31页 |
| 2.1.1 4H-Si C Pi N二极管物理模型分析 | 第28-31页 |
| 2.2 4H-Si C二极管的热阻与结温 | 第31-33页 |
| 2.2.1 结温和热阻的概念 | 第31页 |
| 2.2.2 半导体器件的导热机理分析 | 第31-33页 |
| 2.2.3 常见的热阻类型 | 第33页 |
| 2.3 热力学分析模型的建立 | 第33-36页 |
| 2.3.1 热力学模型 | 第33-34页 |
| 2.3.2 热电功率模型 | 第34-35页 |
| 2.3.3 热导率模型 | 第35-36页 |
| 2.4 本章小结 | 第36-38页 |
| 第三章 4H-Si C Pi N二极管的热学特性分析 | 第38-48页 |
| 3.1 4H-Si C Pi N二极管的仿真结构 | 第38-39页 |
| 3.2 热力学模型下 4H-Si C Pi N二极管的直流特性仿真 | 第39-42页 |
| 3.2.1 电流密度分布对 4H-Si C Pi N晶格晶格热分布的影响 | 第39-40页 |
| 3.2.2 4H-Si C Pi N二极管正向I-V特性的分析 | 第40-42页 |
| 3.3 4H-Si C Pi N正向IV特性热退化的研究 | 第42-43页 |
| 3.4 其他Si C器件的热退化与热失控的分析方法 | 第43-46页 |
| 3.4.1 不同碳化硅器件的退化情况 | 第43-46页 |
| 3.4.2 峰值结温的处理 | 第46页 |
| 3.5 本章小结 | 第46-48页 |
| 第四章 4H-Si C Pi N二极管高温封装的热分析 | 第48-62页 |
| 4.1 封装热阻 | 第48-51页 |
| 4.1.1 功率器件封形式 | 第50-51页 |
| 4.2 4H-Si C Pi N二极管封装热阻的有限元仿真 | 第51-54页 |
| 4.2.1 有限元分析法（FEA，Finite Element Analysis） | 第51页 |
| 4.2.2 ANSYS热分析 | 第51-52页 |
| 4.2.3 4H-Si C Pi N二极管热封装结构的ANSYS模型构建 | 第52-54页 |
| 4.3 Pi N二极管热阻的影响因素分析 | 第54-59页 |
| 4.3.1 不同环境温度对器件峰值结温的影响 | 第55-56页 |
| 4.3.2 器件耗散功率对峰值结温的影响 | 第56-57页 |
| 4.3.3 不同器件和粘结层尺寸对器件热阻的影响 | 第57-59页 |
| 4.4 封装结构的优化 | 第59-61页 |
| 4.5 本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 总结与展望 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 致谢 | 第68-70页 |
| 作者简介 | 第70-71页 |
| 1. 基本情况 | 第70页 |
| 2. 教育背景 | 第70页 |
| 3. 参加的科研项目 | 第70页 |
| 4. 科研成果 | 第70页 |
| 5. 荣誉和奖励 | 第70-71页 |
