| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 引言 | 第10-16页 |
| 1.1 重金属离子的影响 | 第10页 |
| 1.2 检测方法研究进展 | 第10-11页 |
| 1.3 电化学方法在重金属检测方面的研究进展 | 第11-14页 |
| 1.4 选题依据及研究思路 | 第14-16页 |
| 1.4.1 选题依据 | 第14页 |
| 1.4.2 研究思路 | 第14-16页 |
| 2 As(Ⅲ)在石墨烯修饰钴膜电极上的测定 | 第16-30页 |
| 2.1 引言 | 第16页 |
| 2.2 实验部分 | 第16-19页 |
| 2.2.1 仪器与试剂 | 第16-17页 |
| 2.2.2 石墨烯修饰钴膜电极的制备 | 第17-19页 |
| 2.2.3 实验方法 | 第19页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第19-29页 |
| 2.3.1 电极的SEM和EDS表征 | 第19-20页 |
| 2.3.2 石墨烯在钴膜电极制备过程中的作用 | 第20-21页 |
| 2.3.3 As(Ⅲ)在石墨烯修饰钴膜电极上的检测 | 第21-22页 |
| 2.3.4 CoCl_2的浓度对石墨烯修饰钴膜电极的影响 | 第22-23页 |
| 2.3.5 沉积时间对石墨烯修饰钴膜电极的影响 | 第23-25页 |
| 2.3.6 沉积电位对石墨烯修饰钴膜电极的影响 | 第25-26页 |
| 2.3.7 溶液pH值对石墨烯修饰钴膜电极的影响 | 第26页 |
| 2.3.8 扫描速率的影响 | 第26-27页 |
| 2.3.9 石墨烯修饰钴膜电极对不同浓度As(III)的测定 | 第27-29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-30页 |
| 3 石墨烯修饰铋膜电极吸附催化阴极溶出伏安法测定Cr(Ⅵ) | 第30-42页 |
| 3.1 引言 | 第30页 |
| 3.2 实验部分 | 第30-32页 |
| 3.2.1 化学试剂与仪器 | 第30-31页 |
| 3.2.2 石墨烯修饰铋膜电极的制备 | 第31页 |
| 3.2.3 实验方法 | 第31-32页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第32-41页 |
| 3.3.1 电极的表征 | 第32-33页 |
| 3.3.2 Cr(Ⅵ) 吸附催化阴极溶出伏安曲线 | 第33-34页 |
| 3.3.3 铬(Ⅵ)测定的原理 | 第34-35页 |
| 3.3.4 石墨烯的作用 | 第35页 |
| 3.3.5 石墨烯滴加量对Cr (Ⅵ) 测定的影响 | 第35-36页 |
| 3.3.6 富集时间对Cr (Ⅵ) 的溶出伏安信号的影响 | 第36-37页 |
| 3.3.7 KNO_3的增敏作用 | 第37-39页 |
| 3.3.8 Cr(Ⅵ)的吸附催化阴极溶出伏安曲线及标准曲线 | 第39-40页 |
| 3.3.9 检测Cr(Ⅵ)的重现性 | 第40-41页 |
| 3.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 4 Cr(Ⅵ)在PW_(12)杂多酸修饰石墨烯电极上的测定 | 第42-49页 |
| 4.1 引言 | 第42页 |
| 4.2 实验部分 | 第42-43页 |
| 4.2.1 主要试剂和仪器 | 第42页 |
| 4.2.2 PW_(12)杂多酸修饰石墨烯电极的制备 | 第42-43页 |
| 4.2.3 实验方法 | 第43页 |
| 4.3 实验结果与讨论 | 第43-48页 |
| 4.3.1 Cr(Ⅵ)的溶出伏安曲线 | 第43-44页 |
| 4.3.2 制备PW_(12)杂多酸修饰石墨烯电极过程中扫速的影响 | 第44-45页 |
| 4.3.3 制备PW_(12)杂多酸修饰石墨烯电极时扫描圈数影响 | 第45-46页 |
| 4.3.4 富集电位的影响 | 第46页 |
| 4.3.5 Cr(Ⅵ)的溶出伏安曲线及标准曲线 | 第46-48页 |
| 4.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 结论 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-57页 |
| 致谢 | 第57页 |
