应用于WSN的2.4GHz低功耗低噪声放大器设计
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 课题的背景 | 第8-12页 |
| 1.1.1 无线传感器网络设计背景 | 第8-9页 |
| 1.1.2 射频前端的系统 | 第9-10页 |
| 1.1.3 低噪声放大器 | 第10页 |
| 1.1.4 工艺实现 | 第10-11页 |
| 1.1.5 芯片研发平台 | 第11-12页 |
| 1.2 设计指标 | 第12-13页 |
| 1.3 论文组织和内容安排 | 第13-14页 |
| 第二章 低噪声放大器设计基础 | 第14-30页 |
| 2.1 MOS管工作原理及噪声模型 | 第14-23页 |
| 2.1.1 MOS管基本的工作原理和工作区域 | 第14-16页 |
| 2.1.2 MOS管的工作区域 | 第16-18页 |
| 2.1.3 MOS管的噪声模型 | 第18-23页 |
| 2.2 低噪声放大器的性能参数 | 第23-29页 |
| 2.2.1 S参数和S参数在低噪声放大器中应用 | 第23-25页 |
| 2.2.2 低噪声放大器噪声 | 第25-26页 |
| 2.2.3 低噪声放大器非线性 | 第26-29页 |
| 2.2.4 低噪声放大器稳定性 | 第29页 |
| 2.3 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 低功耗低噪声放大器设计 | 第30-44页 |
| 3.1 低噪声放大器结构分析 | 第30-32页 |
| 3.1.1 共栅放大结构 | 第30-31页 |
| 3.1.2 共源共栅结构 | 第31页 |
| 3.1.3 电流复用共源共栅结构 | 第31-32页 |
| 3.2 设计考虑 | 第32-34页 |
| 3.2.1 低噪声放大器结构选择 | 第32-33页 |
| 3.2.2 静电防护 | 第33-34页 |
| 3.3 低功耗低噪声放大器结构设计 | 第34-42页 |
| 3.3.1 级联共栅结构 | 第34-36页 |
| 3.3.2 交叉耦合结构 | 第36-40页 |
| 3.3.3 亚阈值区偏置技术 | 第40-41页 |
| 3.3.4 低功耗低噪声放大器结构设计 | 第41-42页 |
| 3.4 本章小结 | 第42-44页 |
| 第四章 低噪声放大器前仿真 | 第44-66页 |
| 4.1 低噪声放大器设计流程 | 第44-45页 |
| 4.2 低噪声放大器前仿真结果 | 第45-65页 |
| 4.2.1 常温TT工艺角下的前仿真结果 | 第45-54页 |
| 4.2.2 芯片工艺角及蒙特卡罗仿真简介 | 第54-57页 |
| 4.2.3 前仿真结果蒙特卡罗分析 | 第57-65页 |
| 4.3 本章小节 | 第65-66页 |
| 第五章 低噪声放大器版图设计及后仿真 | 第66-88页 |
| 5.1 低噪声放大器版图设计 | 第66-68页 |
| 5.1.1 版图设计的考虑因素 | 第66-67页 |
| 5.1.2 版图设计 | 第67-68页 |
| 5.2 低噪声放大器后仿真 | 第68-86页 |
| 5.2.1 常温TT工艺角下的后仿真结果 | 第69-78页 |
| 5.2.2 后仿真结果蒙特卡罗分析 | 第78-86页 |
| 5.3 低噪声放大器的优值 | 第86-87页 |
| 5.4 本章小结 | 第87-88页 |
| 第六章 总结与展望 | 第88-90页 |
| 6.1 总结 | 第88页 |
| 6.2 展望 | 第88-90页 |
| 参考文献 | 第90-93页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文目录 | 第93-94页 |
| 致谢 | 第94页 |
