应用于LTE的2.45GHz硅基包络跟踪功率放大器的设计
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第9-11页 |
| 1.1.1 课题来源 | 第9页 |
| 1.1.2 课题背景 | 第9-11页 |
| 1.1.3 研究意义 | 第11页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第11-13页 |
| 1.3 研究内容与设计指标 | 第13-14页 |
| 1.3.1 研究内容 | 第13页 |
| 1.3.2 设计指标 | 第13-14页 |
| 1.4 论文结构 | 第14-15页 |
| 第2章 射频功率放大器设计基础 | 第15-37页 |
| 2.1 主要性能指标 | 第15-19页 |
| 2.1.1 输出功率 | 第15-16页 |
| 2.1.2 效率 | 第16页 |
| 2.1.3 线性度 | 第16-17页 |
| 2.1.4 相邻信道功率比 | 第17-18页 |
| 2.1.5 误差矢量幅度 | 第18页 |
| 2.1.6 频谱掩模板 | 第18-19页 |
| 2.2 功率放大器的分类 | 第19-30页 |
| 2.2.1 跨导功率放大器 | 第19-26页 |
| 2.2.2 开关功率放大器 | 第26-29页 |
| 2.2.3 功率放大器小结 | 第29-30页 |
| 2.3 功率放大器的非线性特征 | 第30-32页 |
| 2.3.1 AM-AM失真 | 第30-31页 |
| 2.3.2 AM-PM失真 | 第31页 |
| 2.3.3 谐波失真 | 第31-32页 |
| 2.3.4 交调失真 | 第32页 |
| 2.4 效率增强技术 | 第32-35页 |
| 2.4.1 包络跟踪技术 | 第32-33页 |
| 2.4.2 包络消除与恢复技术 | 第33-34页 |
| 2.4.3 Doherty技术 | 第34页 |
| 2.4.4 LINC技术 | 第34-35页 |
| 2.5 本章小结 | 第35-37页 |
| 第3章 包络跟踪功率放大器的设计与前仿真 | 第37-67页 |
| 3.1 概述 | 第37页 |
| 3.2 ETPA结构比较 | 第37-38页 |
| 3.3 ETPA分析 | 第38-40页 |
| 3.4 ETPA设计 | 第40-63页 |
| 3.4.1 AB类PA的结构设计 | 第41-51页 |
| 3.4.2 AB类PA前仿真 | 第51-54页 |
| 3.4.3 包络调制器的结构设计 | 第54-62页 |
| 3.4.4 包络调制器前仿真 | 第62-63页 |
| 3.5 ETPA前仿真 | 第63-64页 |
| 3.6 本章小结 | 第64-67页 |
| 第4章 包络跟踪功率放大器的版图设计与后仿真 | 第67-79页 |
| 4.1 版图设计的考虑因素 | 第67-70页 |
| 4.1.1 对称匹配性 | 第67-68页 |
| 4.1.2 延时一致性 | 第68-69页 |
| 4.1.3 金属线宽 | 第69页 |
| 4.1.4 接地设计 | 第69-70页 |
| 4.1.5 ESD保护 | 第70页 |
| 4.2 包络跟踪功率放大器的版图设计 | 第70-72页 |
| 4.2.1 AB类PA的版图设计 | 第70-71页 |
| 4.2.2 包络调制器的版图设计 | 第71页 |
| 4.2.3 ETPA的版图设计 | 第71-72页 |
| 4.3 包络跟踪功率放大器的后仿真 | 第72-77页 |
| 4.3.1 AB类PA后仿真 | 第72-74页 |
| 4.3.2 ETPA后仿真 | 第74-77页 |
| 4.4 本章小结 | 第77-79页 |
| 第5章 包络跟踪功率放大器的测试方案 | 第79-85页 |
| 5.1 芯片引脚说明 | 第79-80页 |
| 5.2 测试PCB设计 | 第80-81页 |
| 5.3 芯片测试方案 | 第81-84页 |
| 5.3.1 测试仪器 | 第81页 |
| 5.3.2 直流工作状态测试 | 第81-82页 |
| 5.3.3 自激振荡测试 | 第82页 |
| 5.3.4 性能参数测试 | 第82-84页 |
| 5.4 本章小结 | 第84-85页 |
| 第6章 工作总结与展望 | 第85-87页 |
| 6.1 工作总结 | 第85页 |
| 6.2 工作展望 | 第85-87页 |
| 参考文献 | 第87-91页 |
| 致谢 | 第91-93页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第93页 |
