铌酸锂晶片化学机械抛光研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 引言 | 第9-19页 |
| 1.1 课题背景 | 第9-10页 |
| 1.2 铌酸锂性质 | 第10-11页 |
| 1.2.1 铌酸锂晶体的特性及其基本物理结构 | 第10页 |
| 1.2.2 铌酸锂晶体的空位及其半导体性质 | 第10-11页 |
| 1.2.3 铌酸锂晶体的生长 | 第11页 |
| 1.2.4 铌酸锂晶体的掺杂技术 | 第11页 |
| 1.3 铌酸锂晶体的超精密加工现状 | 第11-13页 |
| 1.4 CMP技术发展及应用 | 第13-17页 |
| 1.4.1 CMP技术简介 | 第13-16页 |
| 1.4.2 化学机械抛光关键技术及相关问题 | 第16-17页 |
| 1.5 课题的研究目的与重要意义 | 第17页 |
| 1.6 课题来源及本文的研究内容 | 第17-19页 |
| 1.6.1 课题来源 | 第17页 |
| 1.6.2 本文的主要研究内容 | 第17-19页 |
| 2 抛光液的配置 | 第19-38页 |
| 2.1 氧化剂的确定 | 第19-22页 |
| 2.2 络合剂的选择 | 第22-23页 |
| 2.3 磨料的选择 | 第23-30页 |
| 2.3.1 磨料种类的选择 | 第24-27页 |
| 2.3.2 磨料粒径大小对材料去除率的影响 | 第27-29页 |
| 2.3.3 磨料浓度对材料去除率的影响 | 第29-30页 |
| 2.4 pH值对抛光过程的影响 | 第30-35页 |
| 2.4.1 pH值的确定 | 第30-32页 |
| 2.4.2 接触角实验 | 第32-35页 |
| 2.5 分散剂的确定 | 第35-37页 |
| 2.6 本章小结 | 第37-38页 |
| 3 铌酸锂晶片化学机械抛光 | 第38-52页 |
| 3.1 试验样品的研磨 | 第38-39页 |
| 3.2 抛光垫的选择 | 第39-42页 |
| 3.2.1 抛光垫主要作用 | 第39页 |
| 3.2.2 抛光垫特性及种类 | 第39-40页 |
| 3.2.3 各种抛光垫加工效果及选择 | 第40-42页 |
| 3.3 试验样品粗抛工艺 | 第42-43页 |
| 3.4 铌酸锂晶片精抛工艺的确定 | 第43-51页 |
| 3.4.1 抛光压力的确定 | 第43-46页 |
| 3.4.2 主盘转速的确定 | 第46-47页 |
| 3.4.3 横移速度的确定 | 第47-48页 |
| 3.4.4 抛光液流速的确定 | 第48-49页 |
| 3.4.5 抛光时间的确定 | 第49-51页 |
| 3.5 CMP后清洗工艺 | 第51页 |
| 3.6 本章小结 | 第51-52页 |
| 4 铌酸锂晶片化学机械抛光机理研究 | 第52-65页 |
| 4.1 材料去除研究 | 第52-54页 |
| 4.1.1 机械去除机理 | 第52-54页 |
| 4.1.2 化学作用机理 | 第54页 |
| 4.2 EDS实验 | 第54-57页 |
| 4.2.1 EDS分析方法及原理 | 第54-55页 |
| 4.2.2 EDS实验及结果分析 | 第55-57页 |
| 4.3 电化学实验 | 第57-64页 |
| 4.3.1 电化学实验简介 | 第58-60页 |
| 4.3.2 不同抛光液的塔菲尔曲线测量及结果分析 | 第60-62页 |
| 4.3.3 PH对塔菲尔极化曲线的影响 | 第62-63页 |
| 4.3.4 氧化剂的种类对极化曲线的影响 | 第63-64页 |
| 4.4 本章小结 | 第64-65页 |
| 结论 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-71页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
