摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-9页 |
第一章 绪论 | 第13-41页 |
1.1 引言 | 第13-15页 |
1.2 半导体纳米材料基本特征 | 第15-17页 |
1.3 III族氮化物纳米材料的研究背景 | 第17-39页 |
1.3.1 AlN纳米材料 | 第17-24页 |
1.3.2 GaN纳米材料 | 第24-31页 |
1.3.3 Al_xGa_(1-x)N纳米材料 | 第31-36页 |
1.3.4 氮化物纳米材料的生长机理 | 第36-38页 |
1.3.5 目前氮化物纳米材料存在的主要问题 | 第38-39页 |
1.4 本课题研究意义及主要研究内容 | 第39-41页 |
1.4.1 本课题的研究意义 | 第39-40页 |
1.4.2 本课题研究的主要内容 | 第40-41页 |
第二章 材料制备与表征 | 第41-47页 |
2.1 材料制备原料及设备 | 第41-42页 |
2.2 实验样品的制备 | 第42-43页 |
2.3 主要表征手段 | 第43-47页 |
2.3.1 X射线衍射分析 | 第43页 |
2.3.2 扫描电子显微镜分析 | 第43-44页 |
2.3.3 透射电子显微镜分析 | 第44页 |
2.3.4 能谱仪分析 | 第44页 |
2.3.5 X射线光电子能谱分析 | 第44-45页 |
2.3.6 显微拉曼光谱仪分析 | 第45页 |
2.3.7 光致发光光谱分析 | 第45-46页 |
2.3.8 场发射性能测试分析 | 第46-47页 |
第三章 柔性导电衬底上AlN纳米结构的制备及其场发射性能研究 | 第47-70页 |
3.1 引言 | 第47-48页 |
3.2 石墨片上AlN纳米线的制备及其场发射性能的研究 | 第48-56页 |
3.2.1 AlN纳米线的制备 | 第48页 |
3.2.2 AlN纳米线的结构与形貌 | 第48-52页 |
3.2.3 AlN纳米线的光学性能研究 | 第52-53页 |
3.2.4 AlN纳米线的场发射性能研究 | 第53-56页 |
3.3 碳布上AlN纳米结构的制备及其场发射性能的研究 | 第56-68页 |
3.3.1 AlN纳米结构的制备 | 第56-57页 |
3.3.2 AlN纳米结构的结构与形貌 | 第57-61页 |
3.3.3 AlN纳米结构的场发射性能研究 | 第61-68页 |
3.4 本章小结 | 第68-70页 |
第四章 不同形貌Al_xGa_(1-x)N纳米材料的制备和性能研究 | 第70-99页 |
4.1 引言 | 第70页 |
4.2 Al_xGa_(1-x)N纳米结构的制备 | 第70-72页 |
4.3 Al_xGa_(1-x)N纳米结构的表征及其生长机理 | 第72-97页 |
4.3.1 钉状Al_xGa_(1-x)N纳米结构 | 第72-75页 |
4.3.2 针状Al_xGa_(1-x)N纳米结构 | 第75-77页 |
4.3.3 棒状Al_xGa_(1-x)N纳米结构 | 第77-78页 |
4.3.4 花状Al_xGa_(1-x)N纳米结构 | 第78-82页 |
4.3.5 多枝状Al_xGa_(1-x)N纳米结构 | 第82-86页 |
4.3.6 塔状Al_xGa_(1-x)N纳米结构 | 第86-89页 |
4.3.7 Al_xGa_(1-x)N-GaN核-壳纳米棒 | 第89-97页 |
4.4 本章小结 | 第97-99页 |
第五章 多组分Al_xGa_(1-x)N纳米材料的制备及其光电性能研究 | 第99-116页 |
5.1 引言 | 第99页 |
5.2 Si片上组分可调Al_xGa_(1-x)N纳米线的制备及其拉曼性能研究 | 第99-105页 |
5.2.1 Al_xGa_(1-x)N纳米线的制备 | 第99-100页 |
5.2.2 Al_xGa_(1-x)N纳米线的结构与形貌 | 第100-103页 |
5.2.3 Al_xGa_(1-x)N纳米线的拉曼性能研究 | 第103-105页 |
5.3 碳布上全组分Al_xGa_(1-x)N纳米线的制备及其光电性能研究 | 第105-115页 |
5.3.1 Al_xGa_(1-x)N纳米线的制备 | 第105-106页 |
5.3.2 Al_xGa_(1-x)N纳米线的结构与形貌 | 第106-111页 |
5.3.3 Al_xGa_(1-x)N纳米线的光电性能研究 | 第111-115页 |
5.4 本章小结 | 第115-116页 |
结论与展望 | 第116-118页 |
参考文献 | 第118-138页 |
攻读博士学位期间取得的研究成果 | 第138-140页 |
致谢 | 第140-142页 |
答辩委员会对论文的评定意见 | 第142页 |