| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 太阳能电池的研究背景及意义 | 第8-11页 |
| 1.1.1 研究背景 | 第8-9页 |
| 1.1.2 选题意义 | 第9-11页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第11-12页 |
| 1.3 本论文的主要安排 | 第12-14页 |
| 第2章 太阳能电池基本原理及AMPS-1D软件介绍 | 第14-24页 |
| 2.1 太阳能电池基本原理 | 第14-15页 |
| 2.2 太阳能电池的伏安特性 | 第15-17页 |
| 2.3 AMPS-1D软件使用说明 | 第17-23页 |
| 2.3.1 基本方程 | 第17-19页 |
| 2.3.2 AMPS-1D软件主要界面 | 第19-23页 |
| 2.4 本章小结 | 第23-24页 |
| 第3章 不同结构的InGaN太阳能电池缺陷效应研究 | 第24-38页 |
| 3.1 InGaN材料参数 | 第24-25页 |
| 3.2 缺陷对单结同质InxGa1-xN太阳能电池的影响 | 第25-30页 |
| 3.2.1 单结同质In0.65Ga0.35N太阳能电池结构 | 第25-26页 |
| 3.2.2 带尾缺陷对单结InGaN太阳能电池的影响 | 第26-30页 |
| 3.3 缺陷对p-GaN/i-InxGa1-xN/n-GaN太阳能电池的影响 | 第30-35页 |
| 3.3.1 p-GaN/i-In0.26Ga0.74N/n-GaN太阳能电池结构 | 第30-33页 |
| 3.3.2 本征In0.26Ga0.74N层中缺陷参数 | 第33-34页 |
| 3.3.3 本征In0.26Ga0.74N层中缺陷对电池的影响 | 第34-35页 |
| 3.4 本章小结 | 第35-38页 |
| 第4章 极化效应对InGaN太阳能电池的影响 | 第38-50页 |
| 4.1 GaN材料的极化效应 | 第38-39页 |
| 4.2 极化电荷的计算 | 第39-41页 |
| 4.3 极化效应引入AMPS-1D软件 | 第41-44页 |
| 4.4 极化对p-GaN/i-In0.26Ga0.74N/n-GaN太阳能电池的影响 | 第44-47页 |
| 4.5 本章小结 | 第47-50页 |
| 结论 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-56页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的论文 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58页 |
