| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| §1.1 太赫兹与超材料简介 | 第8-10页 |
| §1.2 THz超材料吸波体及其相关功能器件简介 | 第10-16页 |
| §1.2.1 THz吸波体 | 第10-12页 |
| §1.2.2 THz滤波器 | 第12-13页 |
| §1.2.3 THz传感器/探测器 | 第13-14页 |
| §1.2.4 THz调制器 | 第14-15页 |
| §1.2.5 THz热发射器 | 第15-16页 |
| §1.3 本论文的主要研究内容与意义 | 第16-17页 |
| §1.4 论文的组成架构 | 第17-18页 |
| 第二章 太赫兹超材料吸波体的理论基础 | 第18-24页 |
| §2.1 引言 | 第18页 |
| §2.2 THz吸波体的相关理论基础 | 第18-23页 |
| §2.2.1 阻抗匹配原理 | 第18-20页 |
| §2.2.2 多次反射干涉原理 | 第20-22页 |
| §2.2.3 基尔霍夫热辐射定律 | 第22-23页 |
| §2.2.4 可调吸波体的调制机理 | 第23页 |
| §2.3 本章小结 | 第23-24页 |
| 第三章 基于超材料的太赫兹宽带吸波体设计 | 第24-35页 |
| §3.1 引言 | 第24-25页 |
| §3.2 结构设计与吸波机理 | 第25-30页 |
| §3.2.1 单峰吸波体设计 | 第25-26页 |
| §3.2.2 单峰吸波体的吸波机理 | 第26-28页 |
| §3.2.3 宽带吸波体设计 | 第28-29页 |
| §3.2.4 宽带吸波机理 | 第29-30页 |
| §3.3 不同参数对吸波体吸收性能的影响 | 第30-32页 |
| §3.3.1 相邻金属块中心间距d的影响 | 第30-31页 |
| §3.3.2 介质材料损耗角正切的影响 | 第31-32页 |
| §3.3.3 介质层厚度的影响 | 第32页 |
| §3.4 偏振敏感性和角度敏感性 | 第32-34页 |
| §3.4.1 偏振敏感性 | 第32-33页 |
| §3.4.2 角度敏感性 | 第33-34页 |
| §3.5 本章小结 | 第34-35页 |
| 第四章 基于MEMS技术的吸波体制作工艺介绍 | 第35-42页 |
| §4.1 MEMS工艺概述 | 第35-38页 |
| §4.2 PolyMUMPs工艺的制作流程 | 第38-40页 |
| §4.3 PolyMUMPs工艺的特点及配套软件 | 第40-41页 |
| §4.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 第五章 太赫兹可调吸波体的结构仿真与性能测试 | 第42-58页 |
| §5.1 引言 | 第42页 |
| §5.2 太赫兹可调吸波体结构设计 | 第42-43页 |
| §5.3 测试系统结构与原理 | 第43-46页 |
| §5.4 数值仿真与实验测试 | 第46-52页 |
| §5.4.1 数值仿真与结果分析 | 第46-51页 |
| §5.4.2 实验测试结果分析 | 第51-52页 |
| §5.5 各种参数变化对吸波体吸收性能的影响 | 第52-56页 |
| §5.5.1 多晶硅(POLY2)方块的面积大小对吸收性能的影响 | 第52-53页 |
| §5.5.2 金属块的尺寸对吸收性能的影响 | 第53-54页 |
| §5.5.3 硅基底的厚度对吸收性能的影响 | 第54-55页 |
| §5.5.4 氮化硅的损耗角正切值对吸收性能的影响 | 第55页 |
| §5.5.5 多晶硅(POLY0)层的材料参数对吸收性能的影响 | 第55-56页 |
| §5.6 本章小结 | 第56-58页 |
| 第六章 总结和展望 | 第58-60页 |
| §6.1 总结 | 第58-59页 |
| §6.2 展望 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文与研究成果 | 第66页 |
