| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-11页 |
| 1 综述 | 第11-23页 |
| ·引言 | 第11页 |
| ·稀磁半导体 | 第11-17页 |
| ·稀磁半导体概述 | 第11-13页 |
| ·几种典型的氧化物稀磁半导体 | 第13-17页 |
| ·稀磁半导体的铁磁性机制 | 第17-20页 |
| ·载流子诱导的铁磁性理论 | 第17-18页 |
| ·束缚磁极子理论 | 第18-19页 |
| ·电荷转移的铁磁性理论 | 第19-20页 |
| ·d0氧化物稀磁半导体 | 第20-21页 |
| ·d0氧化物稀磁半导体概述 | 第20页 |
| ·d0氧化物稀磁半导体及铁磁性来源 | 第20-21页 |
| ·本文的研究背景与意义 | 第21-23页 |
| ·本论文的研究背景 | 第21-22页 |
| ·本论文的研究内容 | 第22-23页 |
| 2 样品的制备及分析测试 | 第23-31页 |
| ·前言 | 第23页 |
| ·样品的制备 | 第23-27页 |
| ·靶材的制备 | 第23-25页 |
| ·基片的清洗 | 第25页 |
| ·脉冲激光沉积系统沉积薄膜 | 第25-27页 |
| ·样品结构及性能的测试 | 第27-31页 |
| ·样品薄膜厚度的测试 | 第27-28页 |
| ·样品薄膜结构的测试 | 第28页 |
| ·样品薄膜磁性的测试 | 第28-29页 |
| ·样品光学性质的测试 | 第29-31页 |
| 3 沉积氧压对 ZnMgO 薄膜磁学及光学性质的影响 | 第31-39页 |
| ·引言 | 第31页 |
| ·实验过程 | 第31页 |
| ·沉积氧压对 ZnMgO 薄膜性质的影响 | 第31-33页 |
| ·沉积氧压对 ZnMgO 薄膜磁学性质的影响 | 第33-35页 |
| ·沉积氧压对 ZnMgO 薄膜光学性质的影响 | 第35-36页 |
| ·本章小结 | 第36-39页 |
| 4 不同 Mg 含量对 ZnMgO 薄膜磁学及光学性质的影响 | 第39-43页 |
| ·引言 | 第39页 |
| ·实验过程 | 第39页 |
| ·Mg 含量对 ZnMgO 薄膜结构的影响 | 第39-41页 |
| ·Mg 含量对 ZnMgO 薄膜磁学性质的影响 | 第41-42页 |
| ·Mg 含量对 ZnMgO 薄膜光学性质的影响 | 第42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 5 Co 掺杂对 ZnMgO 薄膜的磁性及光学性质的影响 | 第43-49页 |
| ·引言 | 第43页 |
| ·实验过程 | 第43页 |
| ·Co 掺杂 ZnMgO 薄膜结构的研究 | 第43-45页 |
| ·Co 掺杂 ZnMgO 薄膜磁性的研究 | 第45页 |
| ·Co 掺杂 ZnMgO 薄膜光学性质的研究 | 第45-46页 |
| ·本章小结 | 第46-49页 |
| 6 结论 | 第49-51页 |
| 致谢 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-59页 |
| 附录 | 第59页 |
