| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-22页 |
| ·铜互连线的应用和提出 | 第9页 |
| ·铜互连线的工艺技术问题 | 第9-10页 |
| ·大马士革镶嵌结构和化学机械抛光技术 | 第10-11页 |
| ·扩散阻挡层的应用 | 第11-12页 |
| ·无扩散阻挡层的应用 | 第12-18页 |
| ·无扩散阻挡层结构的提出 | 第12-14页 |
| ·无扩散阻挡层中掺杂的合金元素 | 第14-18页 |
| ·铜膜中掺杂合金元素对热稳定性和微结构的影响 | 第18页 |
| ·选题背景 | 第18-20页 |
| ·本论文的研究内容 | 第20-22页 |
| 2 薄膜的制备工艺和分析方法 | 第22-28页 |
| ·Cu-Ni-M合金薄膜的制备工艺 | 第22-24页 |
| ·Cu-Ni-M合金薄膜靶材的合金贴片法制备工艺 | 第22-23页 |
| ·Cu-Ni-M合金薄膜的制备工艺 | 第23-24页 |
| ·磁控溅射原理及设备 | 第24-25页 |
| ·薄膜分析方法 | 第25-28页 |
| ·薄膜的成分分析 | 第25-26页 |
| ·薄膜的电学性能分析 | 第26页 |
| ·薄膜的微结构分析 | 第26-28页 |
| 3 Cu-Ni-Sn三元薄膜的电学性能和微观结构分析 | 第28-48页 |
| ·掺杂元素Ni、Sn总含量相同而成分比例不同对薄膜性能的影响 | 第28-41页 |
| ·Cu-Ni-Sn三元薄膜的定量成分分析 | 第28-30页 |
| ·Cu-Ni-Sn三元薄膜的成分深度剖析 | 第30-31页 |
| ·Cu-Ni-Sn三元薄膜的面扫描成分定性分析 | 第31-32页 |
| ·Cu-Ni-Sn三元薄膜的电阻率结果分析 | 第32-36页 |
| ·Cu-Ni-Sn三元薄膜的掠入射X射线衍射(GIXRD)分析 | 第36-37页 |
| ·Cu-Ni-Sn三元薄膜的透射电镜(TEM)分析 | 第37-41页 |
| ·Ni-Sn总量不同对薄膜性能的影响 | 第41-45页 |
| ·薄膜成分分析 | 第41-42页 |
| ·电阻率分析结果 | 第42-45页 |
| ·分析与讨论 | 第45-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 4 Cu-Ni-Nb三元薄膜的电学性能和微观结构分析 | 第48-63页 |
| ·Ni、Nb总含量约0.3at.%,成分比例不同对薄膜性能的影响 | 第48-55页 |
| ·电子探针EPMA结果分析 | 第48-49页 |
| ·电阻率结果分析 | 第49-51页 |
| ·XRD分析结果 | 第51-52页 |
| ·截面TEM结果分析 | 第52-55页 |
| ·合金元素总量的变化对薄膜性能的影响 | 第55-59页 |
| ·EPMA分析结果 | 第56-57页 |
| ·电阻率结果 | 第57-59页 |
| ·薄膜高温稳定性的XRD研究 | 第59-61页 |
| ·分析与讨论 | 第61-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 结论 | 第63-64页 |
| 未来工作展望 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-70页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
