水溶液法制备ZnO纳米线/p+-Si异质结光电特性的研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 引言 | 第9-10页 |
| 1 氧化锌纳米材料的概述 | 第10-22页 |
| ·氧化锌的基本性质 | 第10-11页 |
| ·ZnO纳米线及阵列的应用与研究进展 | 第11-21页 |
| ·电致发光器件 | 第12-16页 |
| ·纳米激光器 | 第16-18页 |
| ·纳米传感器 | 第18-19页 |
| ·纳米发电机 | 第19-21页 |
| ·本文研究的内容 | 第21-22页 |
| 2 ZnO纳米结构的制备方法与表征手段 | 第22-32页 |
| ·ZnO纳米结构的制备方法 | 第22-26页 |
| ·气相法 | 第22-25页 |
| ·液相法 | 第25-26页 |
| ·模板法 | 第26页 |
| ·表征手段 | 第26-29页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第27页 |
| ·X射线衍射谱(XRD) | 第27页 |
| ·光致发光谱(PL谱) | 第27-28页 |
| ·透射和吸收光谱 | 第28-29页 |
| ·霍尔效应 | 第29页 |
| ·半导体特性测试系统 | 第29页 |
| ·本文中使用的设备 | 第29-32页 |
| ·射频磁控溅射 | 第29-30页 |
| ·电子束蒸发 | 第30-31页 |
| ·热蒸发 | 第31-32页 |
| 3 ZnO纳米阵列的制备与表征 | 第32-40页 |
| ·ZnO纳米线的制备 | 第32-34页 |
| ·制备过程 | 第32页 |
| ·生长机理 | 第32-34页 |
| ·ZnO纳米线的表征 | 第34-39页 |
| ·籽晶层对ZnO纳米线的影响 | 第34-37页 |
| ·溶液浓度对ZnO纳米线的影响 | 第37-38页 |
| ·不同生长时间下ZnO纳米线的光学性质 | 第38-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 4 电子束蒸发制备ITO电极 | 第40-46页 |
| ·ITO的简述 | 第40-41页 |
| ·ITO薄膜的制备 | 第41页 |
| ·退火对ITO薄膜特性的影响 | 第41-43页 |
| ·退火对ITO薄膜透射率的影响 | 第41-42页 |
| ·退火对ITO薄膜电阻率的影响 | 第42-43页 |
| ·ZnO纳米线顶端电极的制备 | 第43-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 5 ZnO纳米线/p+-Si异质结二极管光电特性 | 第46-55页 |
| ·器件的制作 | 第46-47页 |
| ·异质结二极管光电特性 | 第47-54页 |
| ·I-V特性 | 第47-49页 |
| ·异质结的理想因子 | 第49-50页 |
| ·C-V特性 | 第50-52页 |
| ·EL谱 | 第52-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 6 结论 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-61页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
