摘要 | 第1-4页 |
ABSTRACT | 第4-9页 |
第一章 绪论 | 第9-35页 |
·引言 | 第9-10页 |
·纳米晶光伏太阳能电池 | 第10-15页 |
·DSSCs 电池 | 第11-12页 |
·ETA 电池 | 第12-14页 |
·QDSCs 电池 | 第14-15页 |
·ZnO 棒晶阵列光阳极 | 第15-22页 |
·ZnO 的晶体结构和化学性质 | 第18-19页 |
·ZnO 的光电性能 | 第19-21页 |
·ZnO 的溶液生长 | 第21-22页 |
·CuSCN 无机空穴传输层 | 第22-26页 |
·CuSCN 半导体的晶体结构 | 第23-24页 |
·CuSCN 的电性能 | 第24-25页 |
·CuSCN 的电化学制备 | 第25-26页 |
·CuInS_2 光吸收材料 | 第26-31页 |
·CuInS_2半导体的晶体结构 | 第27-28页 |
·CuInS_2的光电性能 | 第28-30页 |
·CuInS_2的电化学沉积 | 第30-31页 |
·电化学沉积基础 | 第31-33页 |
·课题提出及创新点 | 第33-35页 |
第二章 ZnO 棒晶阵列的水溶液生长 | 第35-54页 |
·引言 | 第35页 |
·实验部分 | 第35-38页 |
·实验原料及设备 | 第35-36页 |
·实验步骤 | 第36-37页 |
·测试方法 | 第37-38页 |
·结果与讨论 | 第38-53页 |
·氨水体系中的化学反应 | 第38页 |
·ZnO 棒晶阵列的表征 | 第38-41页 |
·ZnO 棒晶的水溶液生长机理 | 第41-42页 |
·ZnO 棒晶阵列的PL 特性 | 第42-47页 |
·生长液组成改性对形貌与PL 性能的影响 | 第47-53页 |
·本章小结 | 第53-54页 |
第三章 p-CuSCN 空穴传输层的弱碱性水溶液电沉积 | 第54-75页 |
·引言 | 第54页 |
·实验部分 | 第54-57页 |
·实验原料及设备 | 第54-55页 |
·实验步骤 | 第55-56页 |
·测试方法 | 第56-57页 |
·结果与讨论 | 第57-73页 |
·稳定弱碱性电沉积溶液的制备 | 第57-58页 |
·CuSCN 电解液的电化学特征 | 第58-60页 |
·CuSCN 在ITO 基底上的电沉积 | 第60-64页 |
·电沉积溶液浓度对薄膜的影响 | 第64-67页 |
·温度对薄膜的影响 | 第67-71页 |
·薄膜的光学性质 | 第71-73页 |
·本章小结 | 第73-75页 |
第四章 CuSCN 在ZnO 棒晶阵列上的电沉积研究 | 第75-90页 |
·引言 | 第75页 |
·实验部分 | 第75-77页 |
·实验原料及设备 | 第75-76页 |
·实验步骤 | 第76页 |
·测试方法 | 第76-77页 |
·结果与讨论 | 第77-88页 |
·p-CuSCN/ITO 结的基本特性 | 第77-78页 |
·CuSCN 在ZnO 棒晶阵列基底上的电沉积 | 第78-79页 |
·ZnO 棒晶上的CuSCN 填充沉积 | 第79-80页 |
·CuSCN 在ZnO 棒晶阵列上电沉积的电化学特征和填充机理 | 第80-85页 |
·CuSCN/ZnO_(rod) 互穿异质结的电性能 | 第85-88页 |
·CuSCN/ZnO_(rod) 互穿异质结的光学性质 | 第88页 |
·本章小结 | 第88-90页 |
第五章 CuInS_2光吸收层中性/弱碱性溶液的电沉积 | 第90-114页 |
·引言 | 第90页 |
·实验部分 | 第90-93页 |
·实验原料及设备 | 第90-91页 |
·实验步骤 | 第91-92页 |
·测试方法 | 第92-93页 |
·结果与讨论 | 第93-113页 |
·稳定中性电沉积溶液的配制 | 第93页 |
·CuInS_2中性电沉积溶液的电化学特征 | 第93-95页 |
·CuInS_2薄膜在ITO 基底上的电沉积 | 第95-101页 |
·中性电沉积溶液体系的改进 | 第101-107页 |
·CuInS_2在ZnO 棒晶阵列基底上的电沉积 | 第107-111页 |
·CuInS_2/ZnO_(rod) 异质结构的光电性能 | 第111-113页 |
·本章小结 | 第113-114页 |
第六章 结论 | 第114-117页 |
参考文献 | 第117-129页 |
发表论文和参加科研情况说明 | 第129-131页 |
致谢 | 第131页 |