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ZnO棒晶阵列的溶液生长与CuSCN空穴传输层和CuInS2光吸收层薄膜的电沉积

摘要第1-4页
ABSTRACT第4-9页
第一章 绪论第9-35页
   ·引言第9-10页
   ·纳米晶光伏太阳能电池第10-15页
     ·DSSCs 电池第11-12页
     ·ETA 电池第12-14页
     ·QDSCs 电池第14-15页
   ·ZnO 棒晶阵列光阳极第15-22页
     ·ZnO 的晶体结构和化学性质第18-19页
     ·ZnO 的光电性能第19-21页
     ·ZnO 的溶液生长第21-22页
   ·CuSCN 无机空穴传输层第22-26页
     ·CuSCN 半导体的晶体结构第23-24页
     ·CuSCN 的电性能第24-25页
     ·CuSCN 的电化学制备第25-26页
   ·CuInS_2 光吸收材料第26-31页
     ·CuInS_2半导体的晶体结构第27-28页
     ·CuInS_2的光电性能第28-30页
     ·CuInS_2的电化学沉积第30-31页
   ·电化学沉积基础第31-33页
   ·课题提出及创新点第33-35页
第二章 ZnO 棒晶阵列的水溶液生长第35-54页
   ·引言第35页
   ·实验部分第35-38页
     ·实验原料及设备第35-36页
     ·实验步骤第36-37页
     ·测试方法第37-38页
   ·结果与讨论第38-53页
     ·氨水体系中的化学反应第38页
     ·ZnO 棒晶阵列的表征第38-41页
     ·ZnO 棒晶的水溶液生长机理第41-42页
     ·ZnO 棒晶阵列的PL 特性第42-47页
     ·生长液组成改性对形貌与PL 性能的影响第47-53页
   ·本章小结第53-54页
第三章 p-CuSCN 空穴传输层的弱碱性水溶液电沉积第54-75页
   ·引言第54页
   ·实验部分第54-57页
     ·实验原料及设备第54-55页
     ·实验步骤第55-56页
     ·测试方法第56-57页
   ·结果与讨论第57-73页
     ·稳定弱碱性电沉积溶液的制备第57-58页
     ·CuSCN 电解液的电化学特征第58-60页
     ·CuSCN 在ITO 基底上的电沉积第60-64页
     ·电沉积溶液浓度对薄膜的影响第64-67页
     ·温度对薄膜的影响第67-71页
     ·薄膜的光学性质第71-73页
   ·本章小结第73-75页
第四章 CuSCN 在ZnO 棒晶阵列上的电沉积研究第75-90页
   ·引言第75页
   ·实验部分第75-77页
     ·实验原料及设备第75-76页
     ·实验步骤第76页
     ·测试方法第76-77页
   ·结果与讨论第77-88页
     ·p-CuSCN/ITO 结的基本特性第77-78页
     ·CuSCN 在ZnO 棒晶阵列基底上的电沉积第78-79页
     ·ZnO 棒晶上的CuSCN 填充沉积第79-80页
     ·CuSCN 在ZnO 棒晶阵列上电沉积的电化学特征和填充机理第80-85页
     ·CuSCN/ZnO_(rod) 互穿异质结的电性能第85-88页
     ·CuSCN/ZnO_(rod) 互穿异质结的光学性质第88页
   ·本章小结第88-90页
第五章 CuInS_2光吸收层中性/弱碱性溶液的电沉积第90-114页
   ·引言第90页
   ·实验部分第90-93页
     ·实验原料及设备第90-91页
     ·实验步骤第91-92页
     ·测试方法第92-93页
   ·结果与讨论第93-113页
     ·稳定中性电沉积溶液的配制第93页
     ·CuInS_2中性电沉积溶液的电化学特征第93-95页
     ·CuInS_2薄膜在ITO 基底上的电沉积第95-101页
     ·中性电沉积溶液体系的改进第101-107页
     ·CuInS_2在ZnO 棒晶阵列基底上的电沉积第107-111页
     ·CuInS_2/ZnO_(rod) 异质结构的光电性能第111-113页
   ·本章小结第113-114页
第六章 结论第114-117页
参考文献第117-129页
发表论文和参加科研情况说明第129-131页
致谢第131页

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