摘要 | 第1-6页 |
ABSTRACT | 第6-11页 |
一、绪论 | 第11-25页 |
1、导体基础及电池性能表征 | 第11-15页 |
·半导体 p-n 结的形成与伏安特性 | 第11-12页 |
·半导体的光伏特性 | 第12-14页 |
·太阳电池的性能参数 | 第14-15页 |
2、太阳电池的研究进展 | 第15-17页 |
·硅基太阳能电池的研究进展 | 第15页 |
·染料敏化电池的研究进展 | 第15-16页 |
·有机聚合物电池的研究进展 | 第16页 |
·量子点中间带电池的研究进展 | 第16-17页 |
3、AFORS-HET 软件的原理和算法依据 | 第17-24页 |
·AFORS-HET 软件介绍 | 第17页 |
·AFORS-HET 电学模型方程 | 第17-20页 |
·AFORS-HET 软件的使用方法 | 第20-24页 |
4、本文的主要工作 | 第24-25页 |
二、纳米晶锗硅合金光伏电池 | 第25-39页 |
1、引言 | 第25-27页 |
2、锗硅合金 HIT 电池的模型结构 | 第27-30页 |
3、结果与讨论 | 第30-37页 |
·锗含量对锗硅合金 HIT 太阳电池的影响 | 第30-32页 |
·温度对锗硅合金 HIT 太阳电池的影响 | 第32-33页 |
·锗硅合金中晶态率对 HIT 太阳电池的影响 | 第33-35页 |
·锗硅合金中晶粒尺寸对 HIT 太阳电池的影响 | 第35-36页 |
·有无锗硅合金层 HIT 太阳电池的比较 | 第36-37页 |
4、本章小结 | 第37-39页 |
三、有机 P3HT:PCBM 光伏电池的数值模拟 | 第39-51页 |
1、引言 | 第39页 |
2、P3HT:PCBM 电池建模 | 第39-44页 |
·P3HT:PCBM 电池的器件结构 | 第39-40页 |
·电池的光传输、光电转换及光生载流子的输运过程 | 第40-41页 |
·基本理论描述 | 第41-44页 |
3、结果与讨论 | 第44-49页 |
·活性层中有、无电极修饰层时光场的比较 | 第44页 |
·修饰层对活性层中光场的影响 | 第44-45页 |
·与实验结果比较 | 第45-46页 |
·有、无电极修饰层的电池电学性能的比较 | 第46-47页 |
·电极注入势垒对电池性能的影响 | 第47-49页 |
4、本章小结 | 第49-51页 |
四、量子点中间带光伏电池 | 第51-69页 |
1、引言 | 第51-52页 |
2、电池的模型与计算 | 第52-57页 |
3、中间带的确定 | 第57-58页 |
4、结果与讨论 | 第58-67页 |
·电池的最优铟含量及量子点间距对电池性能的影响 | 第58-60页 |
·影响电池最优铟含量的因素及量子点尺寸对电池性能的影响 | 第60-62页 |
·铟含量固定时量子点尺寸和量子点间距对太阳电池的影响 | 第62-64页 |
·两个中间带时电池的性能随铟含量的变化 | 第64-67页 |
5、本章小结 | 第67-69页 |
五、总结和展望 | 第69-71页 |
1、总结 | 第69-70页 |
2、展望 | 第70-71页 |
参考文献 | 第71-77页 |
致谢 | 第77-79页 |
攻读硕士期间学术论文 | 第79页 |