| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-13页 |
| 第1章 绪论 | 第13-37页 |
| ·铁电体及铁电薄膜材料 | 第13-20页 |
| ·铁电体及其分类 | 第13-14页 |
| ·铁电体的研究历史及现状 | 第14-16页 |
| ·铁电体的宏微观特征 | 第16-17页 |
| ·铁电薄膜材料及其基本物理特性 | 第17-20页 |
| ·铁电存储器 | 第20-30页 |
| ·非易失性存储器 | 第20-21页 |
| ·铁电存储器及其应用前景 | 第21-23页 |
| ·铁电薄膜存储器的基本结构及工作原理 | 第23-30页 |
| ·铁电薄膜存储器的研究现状及其存在的问题 | 第30-34页 |
| ·铁电薄膜存储器的发展历程 | 第30-31页 |
| ·铁电薄膜存储器的研究现状 | 第31-32页 |
| ·铁电薄膜存储器目前存在的主要问题 | 第32-34页 |
| ·本论文的选题依据及主要内容 | 第34-37页 |
| ·本论文的选题依据 | 第34-35页 |
| ·本论文的主要内容 | 第35-37页 |
| 第2章 高介电铁电薄膜电容器的电学输运 | 第37-50页 |
| ·引言 | 第37-38页 |
| ·肖特基发射模型和载流子漂移-扩散模型 | 第38-42页 |
| ·肖特基发射 | 第38-39页 |
| ·肖特基发射模型 | 第39-41页 |
| ·载流子漂移-扩散模型 | 第41-42页 |
| ·肖特基发射模型和载流子漂移-扩散模型 | 第42页 |
| ·模型的应用与验证 | 第42-44页 |
| ·参数的确定 | 第42-43页 |
| ·BST薄膜电容器的J-V特性曲线 | 第43-44页 |
| ·不同参数对BST薄膜电容器J-V特性的影响 | 第44-48页 |
| ·掺杂浓度对BST薄膜电容器J-V特性的影响 | 第44页 |
| ·空间电荷分布对BST薄膜电容器J-V特性的影响 | 第44-47页 |
| ·薄膜厚度对BST薄膜电容器J-V特性的影响 | 第47页 |
| ·电极对BST薄膜电容器J-V特性的影响 | 第47-48页 |
| ·本章小结 | 第48-50页 |
| 第3章 高介电铁电薄膜空间电荷限制电流 | 第50-60页 |
| ·引言 | 第50-51页 |
| ·空间电荷限制电流理论的改进 | 第51-54页 |
| ·与电场相关的介电常数 | 第51-52页 |
| ·空间电荷限制电流理论 | 第52页 |
| ·改进的空间电荷限制电流理论 | 第52-54页 |
| ·改进空间电荷限制电流理论的应用与验证 | 第54-55页 |
| ·参数的确定 | 第54页 |
| ·BST薄膜的J-V特性曲线 | 第54-55页 |
| ·不同参数对BST薄膜J-V特性的影响 | 第55-59页 |
| ·迁移率对BST薄膜J-V特性的影响 | 第55页 |
| ·铁电参数对BST薄膜J-V特性的影响 | 第55-58页 |
| ·厚度对BST薄膜J-V特性的影响 | 第58-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第4章 基于偶极子转换理论的MFIS结构电学性能研究 | 第60-72页 |
| ·引言 | 第60-61页 |
| ·MFIS结构模型的改进 | 第61-66页 |
| ·模型改进的基本思路与方法 | 第61页 |
| ·MFIS结构的C-V模型 | 第61-62页 |
| ·基于偶极子转换理论铁电层极化行为的描述 | 第62-66页 |
| ·MFIS结构参数的确定 | 第66-67页 |
| ·改进模型对MFIS结构性能的模拟 | 第67-71页 |
| ·铁电层极化行为的模拟 | 第67-68页 |
| ·绝缘层厚度变化的MFIS结构C-V特性和记忆窗口的模拟 | 第68-70页 |
| ·铁电层厚度变化的MFIS结构C-V特性和记忆窗口的模拟 | 第70-71页 |
| ·本章小结 | 第71-72页 |
| 第5章 界面层对铁电场效应晶体管性能的影响 | 第72-86页 |
| ·引言 | 第72-73页 |
| ·界面层模型及迁移率模型 | 第73-77页 |
| ·界面层的形成及类别 | 第73页 |
| ·界面层模型 | 第73-75页 |
| ·迁移率模型 | 第75-77页 |
| ·改进的MFIS-FET模型 | 第77-81页 |
| ·铁电层极化行为的描述 | 第77-78页 |
| ·改进的MFIS模型 | 第78-80页 |
| ·改进的MFIS-FET模型 | 第80-81页 |
| ·参数的确定 | 第81-82页 |
| ·界面层对铁电场效应晶体管性能的影响 | 第82-85页 |
| ·改进模型的验证 | 第82-83页 |
| ·界面层对栅极MFIS结构C-V特性的影响 | 第83页 |
| ·界面层对铁电场效应晶体管漏电流的影响 | 第83-85页 |
| ·本章小结 | 第85-86页 |
| 第6章 基于改进铁电极化模型的铁电场效应晶体管电学性能研究 | 第86-105页 |
| ·引言 | 第86-87页 |
| ·基于改进的Preisach模型，MFIS-FET模型的改进 | 第87-95页 |
| ·传统的Preisach模型 | 第87-89页 |
| ·改进的Preisach模型 | 第89-94页 |
| ·MFIS结构及MFIS-FET的电学模型 | 第94-95页 |
| ·参数的确定 | 第95页 |
| ·改进模型对MFIS-FET电学性能的模拟 | 第95-97页 |
| ·MFIS栅极结构C-V特性的模拟 | 第95-96页 |
| ·MFIS-FET的ID-VGS特性的模拟 | 第96-97页 |
| ·MFIS-FET的ID-VDS特性的模拟 | 第97页 |
| ·基于偶极子转换理论，MFIS-FET模型改进及性能模拟 | 第97-104页 |
| ·改进模型的验证 | 第97-99页 |
| ·栅电压对MFIS-FET电学性能的影响 | 第99-101页 |
| ·SiO2层对MFIS-FET电学性能的影响 | 第101-102页 |
| ·界面层对MFIS-FET电学性能的影响 | 第102-104页 |
| ·本章小结 | 第104-105页 |
| 第7章 总结与展望 | 第105-108页 |
| ·论文总结 | 第105-107页 |
| ·工作展望 | 第107-108页 |
| 参考文献 | 第108-123页 |
| 致谢 | 第123-124页 |
| 攻读博士期间已发表的论文 | 第124-125页 |
