| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 目录 | 第10-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-18页 |
| ·研究的背景和意义 | 第14-15页 |
| ·本博士论文的研究内容和目的 | 第15-16页 |
| ·本文的结构安排及内容提要 | 第16-18页 |
| 第二章 文献综述 | 第18-44页 |
| 摘要 | 第18页 |
| ·引言 | 第18-19页 |
| ·太阳电池用低成本多晶硅材料的制备 | 第19-24页 |
| ·西门子法 | 第20-21页 |
| ·硅烷法 | 第21-22页 |
| ·冶金法 | 第22-23页 |
| ·其他方法 | 第23-24页 |
| ·晶体硅生长技术 | 第24-28页 |
| ·太阳电池级晶体硅中的杂质与缺陷 | 第28-37页 |
| ·太阳电池级晶体硅中的杂质 | 第28-32页 |
| ·太阳电池级晶体硅中的结构缺陷 | 第32-37页 |
| ·太阳电池的工作原理及其制备过程 | 第37-41页 |
| ·太阳电池工作原理 | 第37-40页 |
| ·商业太阳电池制备过程 | 第40-41页 |
| ·目前尚存在的问题 | 第41-44页 |
| 第三章 实验样品与研究方法 | 第44-54页 |
| 摘要 | 第44页 |
| ·实验样品 | 第44-46页 |
| ·低成本多晶硅原料制备 | 第44页 |
| ·直拉单晶硅制备 | 第44页 |
| ·铸造多晶硅晶体及铸造准单晶硅晶体制备 | 第44-45页 |
| ·样品及太阳电池制备 | 第45-46页 |
| ·研究方法及测试设备 | 第46-52页 |
| ·准稳态光电导仪 | 第46-48页 |
| ·量子效率仪 | 第48-49页 |
| ·扩展电阻仪 | 第49-51页 |
| ·电流/电容-电压测量 | 第51页 |
| ·太阳电池电致发光成像 | 第51-52页 |
| ·模拟方法 | 第52-54页 |
| ·严格耦合波分析(Rigorous coupled wave analysis,RCWA) | 第52-53页 |
| ·PCID拟合 | 第53-54页 |
| 第四章 冶金法制备太阳电池用低成本硅原料 | 第54-70页 |
| 摘要 | 第54页 |
| ·引言 | 第54-55页 |
| ·实验 | 第55-58页 |
| ·使用粉末冶金工艺的铝硅熔体法提纯金属硅 | 第55-57页 |
| ·掺铝单晶硅的制备 | 第57-58页 |
| ·使用粉末冶金工艺的铝硅熔体法提纯金属硅研究 | 第58-64页 |
| ·提纯过程参数优化 | 第58-59页 |
| ·提纯产物的形貌分析 | 第59-60页 |
| ·提纯产物的物相分析 | 第60-61页 |
| ·提纯产物的杂质分析 | 第61-63页 |
| ·产率分析 | 第63-64页 |
| ·硅中杂质铝对太阳电池性能的影响研究 | 第64-69页 |
| ·铝在硅中的分凝现象 | 第64-65页 |
| ·杂质铝对晶体硅电学性能的影响 | 第65-68页 |
| ·掺铝晶体硅太阳电池的光致衰减 | 第68-69页 |
| ·本章小结 | 第69-70页 |
| 第五章 铸造准单晶硅材料的制备与表征 | 第70-86页 |
| 摘要 | 第70页 |
| ·引言 | 第70-71页 |
| ·实验 | 第71-74页 |
| ·铸造准单晶硅材料的制备 | 第71-73页 |
| ·铸造准单晶硅材料的性能表征 | 第73页 |
| ·铸造准单晶硅太阳电池 | 第73-74页 |
| ·铸造准单晶硅的材料性能 | 第74-79页 |
| ·铸造准单晶硅中晶粒的分布 | 第74-76页 |
| ·铸造准单晶硅中结构缺陷与寿命分布 | 第76-78页 |
| ·铸造准单晶硅的寿命光致衰减特性 | 第78-79页 |
| ·铸造准单晶硅太阳电池的性能 | 第79-83页 |
| ·铸造准单晶硅太阳电池的电池性能 | 第79-82页 |
| ·铸造准单晶硅太阳电池的光致衰减效应 | 第82-83页 |
| ·铸造准单晶硅材料中存在的问题 | 第83-84页 |
| ·本章小结 | 第84-86页 |
| 第六章 铸造准单晶硅材料中的主要杂质与缺陷研究 | 第86-108页 |
| 摘要 | 第86页 |
| ·引言 | 第86-87页 |
| ·实验 | 第87-89页 |
| ·铸造准单晶硅中位错对材料及电池性能影响 | 第87-88页 |
| ·铸造准单晶硅底部低少子寿命区域形成 | 第88页 |
| ·位错对硅中硼氧复合体缺陷的影响 | 第88-89页 |
| ·铸造准单晶硅位错对材料及电池性能的影响研究 | 第89-96页 |
| ·分散型位错 | 第89-91页 |
| ·位错聚集体 | 第91-95页 |
| ·进一步讨论 | 第95-96页 |
| ·铸造准单晶硅底部低少子寿命区域形成研究 | 第96-102页 |
| ·位错对硼氧复合体缺陷的影响研究 | 第102-105页 |
| ·本章小结 | 第105-108页 |
| 第七章 低成本晶体硅太阳电池技术研究 | 第108-128页 |
| 摘要 | 第108页 |
| ·引言 | 第108-109页 |
| ·实验 | 第109-111页 |
| ·金属纳米颗粒催化制绒 | 第109-110页 |
| ·铝背场技术改进 | 第110-111页 |
| ·金属纳米颗粒催化制绒 | 第111-117页 |
| ·银纳米颗粒的表征 | 第112页 |
| ·银纳米颗粒尺寸对表面制绒的影响 | 第112-113页 |
| ·反应时间对表面制绒的影响 | 第113页 |
| ·表面形貌的变化过程 | 第113-114页 |
| ·不同腐蚀时间制绒后硅片表面的反射率研究 | 第114-117页 |
| ·带有微孔结构的硅太阳电池性能 | 第117页 |
| ·铝背场技术改进——形成硼铝背场 | 第117-126页 |
| ·p~+层的掺杂浓度研究 | 第118-121页 |
| ·新技术对于背场钝化的影响 | 第121-123页 |
| ·新技术对于电池性能的影响 | 第123-126页 |
| ·本章小结 | 第126-128页 |
| 第八章 总结 | 第128-130页 |
| 参考文献 | 第130-144页 |
| 致谢 | 第144-146页 |
| 个人简历 | 第146-148页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文与取得的其它研究成果 | 第148-150页 |