晶体硅太阳电池中的光衰减研究
| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-47页 |
| ·前言 | 第13-16页 |
| ·研究背景和意义 | 第13-14页 |
| ·本文研究目标 | 第14页 |
| ·本论文结构安排 | 第14-16页 |
| ·理论基础 | 第16-24页 |
| ·太阳电池效率分析 | 第16-18页 |
| ·复合理论 | 第18-22页 |
| ·载流子散射理论 | 第22-24页 |
| ·轻元素杂质对太阳电池性能的影响 | 第24-38页 |
| ·硅中的氧 | 第25-31页 |
| ·硅中的碳 | 第31-35页 |
| ·硅中的氮 | 第35-38页 |
| ·太阳电池光衰减缺陷--硼氧复合体的研究 | 第38-46页 |
| ·单纯掺硼硅中的光衰减 | 第39-44页 |
| ·p型硼磷补偿硅中的光衰减 | 第44-45页 |
| ·n型掺硼补偿硅中的光衰减 | 第45页 |
| ·抑制光衰减的措施 | 第45-46页 |
| ·存在的主要问题 | 第46-47页 |
| 第二章 实验样品和研究方法 | 第47-55页 |
| ·实验样品和样品制备 | 第47-48页 |
| ·实验样品 | 第47页 |
| ·样品制备 | 第47-48页 |
| ·主要实验设备 | 第48-55页 |
| ·低温傅里叶红外光谱 | 第48-51页 |
| ·载流子寿命测试 | 第51-55页 |
| 第三章 光衰减中心—硼氧复合体的实验研究 | 第55-71页 |
| 摘要 | 第55页 |
| ·引言 | 第55-56页 |
| ·实验 | 第56-58页 |
| ·实验结果与讨论 | 第58-70页 |
| ·双氧参与光衰减的证据 | 第58-62页 |
| ·n型补偿硅晶体的光衰减行为 | 第62-70页 |
| ·本章小结 | 第70-71页 |
| 第四章 光衰减中心--硼氧复合体的第一性原理计算 | 第71-83页 |
| 摘要 | 第71页 |
| ·引言 | 第71-72页 |
| ·计算方法 | 第72页 |
| ·计算结果与讨论 | 第72-82页 |
| ·双氧的结构 | 第72-74页 |
| ·双氧的扩散 | 第74-75页 |
| ·硼氧复合体的结构 | 第75-76页 |
| ·硼氧复合体的能级位置 | 第76-77页 |
| ·光衰减的形成机理 | 第77-82页 |
| ·本章小结 | 第82-83页 |
| 第五章 微量掺锗直拉单晶硅的性质及应用 | 第83-97页 |
| 摘要 | 第83页 |
| ·引言 | 第83-84页 |
| ·计算与实验 | 第84-85页 |
| ·结果与讨论 | 第85-95页 |
| ·锗对间隙氧扩散的影响 | 第85-87页 |
| ·锗对双氧扩散的影响 | 第87-90页 |
| ·锗对热施主形成的影响 | 第90-95页 |
| ·本章小结 | 第95-97页 |
| 第六章 镓磷补偿直拉单晶硅的制备、性质及应用 | 第97-117页 |
| 摘要 | 第97页 |
| ·引言 | 第97-99页 |
| ·实验 | 第99-100页 |
| ·实验结果与讨论 | 第100-116页 |
| ·气相掺杂技术 | 第100-104页 |
| ·镓磷补偿对载流子迁移率的影响 | 第104-112页 |
| ·镓磷补偿对磷扩散的影响 | 第112-114页 |
| ·补偿对电池性能的影响 | 第114-116页 |
| ·本章小结 | 第116-117页 |
| 第七章 总结 | 第117-120页 |
| ·结论 | 第117-119页 |
| ·展望 | 第119-120页 |
| 参考文献 | 第120-133页 |
| 致谢 | 第133-135页 |
| 作者简介 | 第135-136页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第136-137页 |
