| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| ·论文的研究背景 | 第10-11页 |
| ·论文的国内外发展现状 | 第11-17页 |
| ·Si 基外延 GaAs 材料及器件方面 | 第11-15页 |
| ·GaAs-RTD 力敏效应及器件研究方面 | 第15-17页 |
| ·本课题的研究意义 | 第17-18页 |
| ·论文内容安排 | 第18-19页 |
| 第二章 Si基外延GaAs材料的工艺及测试 | 第19-40页 |
| ·Si 基外延 GaAs 材料的优化原理 | 第19-25页 |
| ·超晶格结构优化原理 | 第19-21页 |
| ·材料特性 | 第21-25页 |
| ·Si 基外延 GaAs 材料的优化工艺 | 第25-34页 |
| ·表面和界面特性 | 第28-31页 |
| ·缺陷密度 | 第31-33页 |
| ·残余应力 | 第33-34页 |
| ·Si 基外延 GaAs 材料的力敏效应测试 | 第34-39页 |
| ·力—光耦合特性 | 第34-38页 |
| ·力—电耦合特性 | 第38-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第三章 Si基外延量子阱RTD的工艺及力敏效应测试 | 第40-54页 |
| ·Si 基外延量子阱 RTD 的力敏效应原理 | 第40-42页 |
| ·Si 基 GaAs 衬底的力敏效应 | 第40页 |
| ·RTD 的力敏效应 | 第40-42页 |
| ·Si 基外延量子阱 RTD 的制备与优化 | 第42-48页 |
| ·Si 基 RTD 的外延工艺与优化 | 第43-46页 |
| ·Si 基 RTD 结构的制备 | 第46-48页 |
| ·Si 基外延量子阱 RTD 的力敏效应测试 | 第48-53页 |
| ·力—光耦合特性 | 第50-51页 |
| ·力—电耦合特性 | 第51-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第四章 量子点 RTD(QD-RTD)的力敏效应测试 | 第54-65页 |
| ·引言 | 第54页 |
| ·QD-RTD 的电子输运模型和隧穿原理 | 第54-57页 |
| ·QD-RTD 的制备工艺研究 | 第57-62页 |
| ·量子点的制备工艺 | 第58-59页 |
| ·QD-RTD 的制备工艺 | 第59-61页 |
| ·残余应力 | 第61-62页 |
| ·QD-RTD 的力敏效应研究 | 第62-64页 |
| ·力—光耦合特性 | 第62-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 第五章 结论与展望 | 第65-67页 |
| ·论文的主要内容及结论 | 第65-66页 |
| ·展望 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-74页 |
| 攻读硕士学位期间所取得的成果 | 第74-76页 |
| 致谢 | 第76页 |