| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-12页 |
| ·SiC半导体材料的概述 | 第8-9页 |
| ·半导体表面钝化方法和研究现状 | 第9-11页 |
| ·本文的研究目的及主要内容 | 第11-12页 |
| 2 理论方法 | 第12-32页 |
| ·密度泛函理论(DFT) | 第12-22页 |
| ·绝热近似 | 第13页 |
| ·Thomas Fermi-Dirac近似 | 第13-14页 |
| ·Hohenberg-Kohn定理 | 第14-16页 |
| ·Kohn Sham方法以及Kohn Sham方程的求解 | 第16-19页 |
| ·交换关联泛函 | 第19-22页 |
| ·第一性原理热力学 | 第22-30页 |
| ·表面热力学方法 | 第22-23页 |
| ·吉布斯自由能的近似计算 | 第23-26页 |
| ·表面吸附的吉布斯自由能 | 第26-29页 |
| ·气体化学势 | 第29-30页 |
| ·相平衡和相图 | 第30-31页 |
| ·相变过程 | 第30页 |
| ·相变平衡条件 | 第30-31页 |
| ·相图 | 第31页 |
| ·VASP软件包介绍 | 第31页 |
| ·CASTEP软件包介绍 | 第31-32页 |
| 3 SiC表面的氢钝化和羟基钝化 | 第32-45页 |
| ·计算方法 | 第32-36页 |
| ·计算的模型结构 | 第32-33页 |
| ·SiC表面吸附的情况 | 第33-36页 |
| ·VASP参数的设置 | 第36页 |
| ·SiC表面氢吸附和羟基吸附的吸附能 | 第36-38页 |
| ·吸附能的计算 | 第36-37页 |
| ·吸附能图 | 第37-38页 |
| ·不同吸附情况下的相图研究 | 第38-41页 |
| ·化学势和表面自由能的计算 | 第38-39页 |
| ·吸附氢和吸附羟基以及同时吸附时的相图 | 第39-41页 |
| ·电子结构分析 | 第41-44页 |
| ·差分电荷密度 | 第41-43页 |
| ·布局数以及有效键级分析 | 第43-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 4 SiC表面P钝化研究 | 第45-51页 |
| ·计算方法 | 第45-46页 |
| ·计算模型 | 第45页 |
| ·CASTEP的参数设置 | 第45-46页 |
| ·SiC表面P钝化的吸附能和吉布斯自由能的计算 | 第46页 |
| ·吸附能的计算 | 第46页 |
| ·吉布斯自由能的计算 | 第46页 |
| ·不同表面覆盖率下的P钝化吸附能图化学势相图 | 第46-48页 |
| ·吸附能图 | 第46-47页 |
| ·化学势相图 | 第47-48页 |
| ·电子结构分析 | 第48-50页 |
| ·差分电荷密度 | 第48-49页 |
| ·总态密度 | 第49-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 结论 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-55页 |
| 攻读硕士学位期间发农学术论文情况 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 大连理工大学学位论文版权使用授权书 | 第57页 |