晶体集成式红外探测器的设计及制备工艺研究
摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-10页 |
第一章 绪论 | 第10-16页 |
·引言 | 第10-11页 |
·国内外研究现状及发展趋势 | 第11-13页 |
·本文主要研究内容 | 第13-14页 |
·本文的整体安排 | 第14-15页 |
·本章小结 | 第15-16页 |
第二章 热释电红外探测器概述 | 第16-24页 |
·热释电红外探测器原理 | 第16-18页 |
·热释电效应 | 第16页 |
·热释电红外探测器工作原理 | 第16-18页 |
·红外探测器的分类 | 第18-19页 |
·热释电红外探测器的组成及特性 | 第19-21页 |
·热释电红外探测器的组成 | 第19-20页 |
·热释红外电探测器的特性 | 第20-21页 |
·热释电红外探测器的材料选择 | 第21-22页 |
·热释红外电探测器的设计关键 | 第22-23页 |
·本章小结 | 第23-24页 |
第三章 晶体式热释电探测器制备研究 | 第24-42页 |
·探测器的制备工艺设计 | 第24-26页 |
·工艺设计综述 | 第24页 |
·工艺设计 | 第24-26页 |
·探测器敏感元电极层材料选择 | 第26-27页 |
·探测器敏感单元键合 | 第27-28页 |
·键合技术 | 第27-28页 |
·LN 晶片和 Si 片的键合 | 第28页 |
·探测器敏感元减薄抛光 | 第28-34页 |
·研磨抛光机 | 第28-30页 |
·研磨液和抛光液 | 第30-31页 |
·研磨盘和抛光垫 | 第31-34页 |
·研磨后清洗 | 第34页 |
·光刻 | 第34-36页 |
·探测器敏感单元沉积薄膜 | 第36-40页 |
·沉积薄膜技术 | 第36-38页 |
·溅射沉积薄膜的优势 | 第38页 |
·JTRC-550 型磁控溅射镀膜系统 | 第38-39页 |
·沉积薄膜研究 | 第39-40页 |
·本章小结 | 第40-42页 |
第四章 晶体式热释电探测器制备与结构性能测试 | 第42-55页 |
·热释电探测器的加工与制作 | 第42-43页 |
·探测器敏感元厚度测试 | 第43-45页 |
·敏感元厚度对器件的影响 | 第43-44页 |
·敏感单元厚度均匀性对器件的影响 | 第44页 |
·测厚仪介绍 | 第44页 |
·测试结果及分析 | 第44-45页 |
·探测器敏感元表面粗糙度测试 | 第45-49页 |
·表面粗糙度对器件的影响 | 第45页 |
·原子力显微镜(AFM)介绍 | 第45-46页 |
·测试结果及分析 | 第46-49页 |
·探测器敏感元沉积薄膜测试 | 第49-50页 |
·扫描电子显微镜(SEM)介绍 | 第49页 |
·沉积薄膜形貌和厚度测试及分析 | 第49-50页 |
·探测器敏感元介电常数和介电损耗测试 | 第50-54页 |
·测试系统搭建 | 第51页 |
·测试结果及分析 | 第51-54页 |
·本章小结 | 第54-55页 |
第五章 晶体式热释电探测器电学性能测试 | 第55-64页 |
·信号响应测试系统搭建 | 第55-56页 |
·信号前置放大电路设计 | 第56-57页 |
·设计的原则 | 第56页 |
·器件选择 | 第56-57页 |
·前置放大电路 | 第57页 |
·信号调理电路设计 | 第57-59页 |
·热释电红外探测器性能测试 | 第59-63页 |
·探测器频率响应特性测试 | 第59-60页 |
·探测器不同敏感元厚度响应测试 | 第60-61页 |
·探测器不同敏感元面积响应测试 | 第61-63页 |
·本章小结 | 第63-64页 |
第六章 总结与展望 | 第64-66页 |
·成果总结 | 第64-65页 |
·工作展望和建议 | 第65-66页 |
参考文献 | 第66-70页 |
攻读硕士期间发表的论文 | 第70-71页 |
致谢 | 第71页 |