| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 致谢 | 第8-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-29页 |
| ·二氧化钛概述 | 第14-16页 |
| ·二氧化钛光催化剂制备方法 | 第16-17页 |
| · | 第16-17页 |
| ·液相法合成 TiO_2 | 第17页 |
| ·TiO_2能带理论和光催化机理 | 第17-19页 |
| ·TiO_2能带理论 | 第17-18页 |
| ·TiO_2的光催化机理 | 第18-19页 |
| ·TiO_2纳米管的制备 | 第19-22页 |
| ·模板合成法 | 第20页 |
| ·水热合成法 | 第20-21页 |
| ·阳极氧化法 | 第21-22页 |
| ·制备方法比较 | 第22页 |
| ·TiO_2纳米管阵列薄膜的应用 | 第22-25页 |
| ·氢敏传感器 | 第22-23页 |
| ·光催化降解污染物 | 第23页 |
| ·染料敏化太阳能电池 | 第23-24页 |
| ·光水解制氢 | 第24页 |
| ·其他方面的应用 | 第24-25页 |
| ·提高 TiO_2纳米管性能途径 | 第25-28页 |
| ·TiO_2自身结构改进 | 第25页 |
| ·掺杂金属、非金属改性 | 第25-26页 |
| ·贵金属沉积修饰 | 第26-27页 |
| ·窄紧带半导体复合修饰 | 第27-28页 |
| ·本论文研究的意义和内容 | 第28-29页 |
| 第二章 实验内容与方法 | 第29-33页 |
| ·实验试剂 | 第29页 |
| ·实验仪器 | 第29-30页 |
| ·实验材料 | 第30页 |
| ·实验内容 | 第30-33页 |
| ·制备高度有序的二氧化钛纳米管 | 第30-31页 |
| ·Cu_2O/TiO_2纳米管阵列的制备 | 第31页 |
| ·TiO_2纳米管阵列的表征 | 第31-33页 |
| 第三章 阳极氧化法制备 TiO_2纳米管阵列 | 第33-41页 |
| ·影响 TiO_2纳米管阵列薄膜的制备参数 | 第33-37页 |
| ·阳极氧化电压对纳米管阵列形貌的影响 | 第33-35页 |
| ·阳极氧化时间对纳米管管长的影响 | 第35-36页 |
| ·影响纳米管管壁厚度的因素 | 第36-37页 |
| ·电解液中 NH_4F 的浓度 | 第37页 |
| ·阳极氧化过程中电流随时间的变化 | 第37-38页 |
| ·晶型结构分析 | 第38-39页 |
| ·本章小结 | 第39-41页 |
| 第四章 Cu_2O 修饰 TiO_2纳米管的阵列与形貌 | 第41-46页 |
| ·Cu_2O 修饰 TiO_2纳米管的制备 | 第41页 |
| ·Cu_2O/TiO_2纳米管阵列薄膜的表征 | 第41-45页 |
| ·Cu_2O/TiO_2纳米管阵列薄膜表面形貌的表征 | 第41-43页 |
| ·不同沉积电位对沉积效果的影响 | 第43页 |
| ·不同温度对沉积效果的影响 | 第43-44页 |
| ·晶型结构表征 | 第44-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第五章 TiO_2纳米管阵列薄膜的光催化性能 | 第46-52页 |
| ·未修饰 TiO_2纳米管阵列薄膜的光催化性能 | 第46-51页 |
| ·光催化降解甲基橙的分析方法及实验过程 | 第46页 |
| ·煅烧温度对 TiO_2纳米管光催化性能的影响 | 第46-48页 |
| ·阳极氧化电压对 TiO_2纳米管光催化性能的影响 | 第48页 |
| ·阳极氧化时间对 TiO_2纳米管光催化性能的影响 | 第48-49页 |
| ·Cu_2O 修饰 TiO_2纳米管的光催化性能研究 | 第49-50页 |
| ·Cu_2O 修饰 TiO_2纳米管光催化剂的重复使用性能 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第六章 TiO_2纳米管阵列的气敏特性与机理 | 第52-56页 |
| ·TiO_2纳米管阵列薄膜的气敏性能检测 | 第52-53页 |
| ·气敏元件的制备 | 第52-53页 |
| ·气敏特性测试 | 第53页 |
| ·影响 TiO_2纳米管阵列薄膜的气敏性能的因素 | 第53-55页 |
| ·元件气敏特性 | 第53-54页 |
| ·气敏机理的讨论 | 第54-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第七章 结论与展望 | 第56-58页 |
| ·结论 | 第56-57页 |
| ·展望 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-65页 |
| 发表文章 | 第65-66页 |
