| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第15-35页 |
| 1.1 引言 | 第15页 |
| 1.2 上转换发光 | 第15-20页 |
| 1.2.1 上转换发光的定义 | 第15-16页 |
| 1.2.2 上转换发光的机理 | 第16-19页 |
| 1.2.3 上转换发光材料的构成 | 第19-20页 |
| 1.3 上转换发光材料的制备方法 | 第20-25页 |
| 1.4 上转换发光材料的应用 | 第25-33页 |
| 1.4.1 上转换发光材料的应用领域 | 第25-29页 |
| 1.4.2 上转换发光材料在防伪技术中的研究 | 第29-33页 |
| 1.5 本论文的研究意义与内容 | 第33-35页 |
| 第二章 上转换纳米晶的制备与测试方法 | 第35-43页 |
| 2.1 实验原料与仪器 | 第35-36页 |
| 2.2 上转换纳米颗粒制备方法 | 第36-38页 |
| 2.2.1 单核结构上转换纳米颗粒的制备方法 | 第36-37页 |
| 2.2.2 核壳结构上转换纳米颗粒的制备方法 | 第37-38页 |
| 2.3 表征与测试方法 | 第38-43页 |
| 2.3.1 XRD物相分析 | 第38-39页 |
| 2.3.2 透射电子显微分析 | 第39-40页 |
| 2.3.3 上转换发射光谱测试 | 第40-41页 |
| 2.3.4 色坐标计算 | 第41-43页 |
| 第三章 NaGdF_4基上转换纳米颗粒的制备工艺研究 | 第43-52页 |
| 3.1 上转换纳米颗粒的形成过程 | 第43-44页 |
| 3.2 保温温度的影响 | 第44-46页 |
| 3.3 保温时间的影响 | 第46-49页 |
| 3.4 OA/ODE的影响 | 第49-50页 |
| 3.5 上转换纳米颗粒尺寸均匀性的控制 | 第50-52页 |
| 第四章 | 第52-62页 |
| 4.3 温度对上转换发光的影响 | 第56-58页 |
| 4.4 反常发光温度特性原因探究 | 第58-60页 |
| 4.5 上转换发光对激发功率的依赖性 | 第60-61页 |
| 4.6 本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 Ho/Tm共掺NaGdF_4纳米晶温致变色特性研究 | 第62-75页 |
| 5.1 Tm/Ho共掺上转换纳米颗粒的设计 | 第62-63页 |
| 5.2 NaGdF_4: Yb,Ho,Tm上转换纳米颗粒变色性能研究 | 第63-67页 |
| 5.2.1 激活剂掺杂浓度影响 | 第63-64页 |
| 5.2.2 温度影响 | 第64-66页 |
| 5.2.3 激光功率影响 | 第66-67页 |
| 5.3 NaGdF_4: Yb,Ho@NaGdF_4: Yb,Tm上转换纳米颗粒变色性能研究 | 第67-70页 |
| 5.3.1 温度影响 | 第67-69页 |
| 5.3.2 激发功率影响 | 第69-70页 |
| 5.4 NaGdF_4: Yb,Tm@NaGdF_4: Yb,Ho上转换纳米颗粒变色性能研究 | 第70-74页 |
| 5.4.1 温度影响 | 第70-72页 |
| 5.4.2 激光功率影响 | 第72-74页 |
| 5.5 本章小结 | 第74-75页 |
| 第六章 结论 | 第75-77页 |
| 6.1 全文总结 | 第75页 |
| 6.2 创新点 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-82页 |
| 致谢 | 第82-83页 |
| 攻读硕士期间发表的文章专利 | 第83页 |
