| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 目录 | 第10-13页 |
| 第1章 绪论 | 第13-29页 |
| ·垂直腔面发射激光器(VCSEL)简介 | 第14-20页 |
| ·VCSEL 的基本结构 | 第14-19页 |
| ·VCSEL 的特点及优势 | 第19-20页 |
| ·VCSEL 的研究进展及主要应用 | 第20-24页 |
| ·高功率 980nmVCSEL 的研究背景及意义 | 第24-25页 |
| ·VCSEL 的热问题 | 第25-26页 |
| ·本论文的研究工作 | 第26-29页 |
| 第2章 VCSEL 热特性的理论分析 | 第29-57页 |
| ·温度对 InGaAs/GaAsP 量子阱的影响 | 第30-40页 |
| ·能带随温度的变化 | 第30-37页 |
| ·增益随温度的变化 | 第37-40页 |
| ·温度对布拉格反射镜(DBR)的影响 | 第40-46页 |
| ·反射率随温度的变化 | 第40-44页 |
| ·腔模随温度的变化 | 第44-46页 |
| ·温度对漏电流的影响 | 第46-48页 |
| ·输出功率的温度特性 | 第48-51页 |
| ·温度对近场分布的影响 | 第51-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第3章 高功率 VCSEL 热行为特性的实验研究 | 第57-81页 |
| ·器件结构及制作 | 第57-58页 |
| ·能带带阶对输出功率的影响 | 第58-61页 |
| ·单管器件热阻的测量 | 第61-62页 |
| ·增益谱的变温测试 | 第62-64页 |
| ·光致发光谱随温度的变化 | 第62-63页 |
| ·电致发光谱随温度的变化 | 第63-64页 |
| ·有源区温升的测量 | 第64-65页 |
| ·氧化孔径对单管器件热特性的影响 | 第65-74页 |
| ·氧化孔径的作用 | 第66页 |
| ·氧化层位置及厚度 | 第66页 |
| ·侧氧化方法 | 第66-68页 |
| ·氧化孔径不同时单管器件的温升 | 第68-74页 |
| ·单管器件近场分布温度特性的实验结果 | 第74-78页 |
| ·温度对近场强度的影响 | 第74-77页 |
| ·模式尺寸随温度的变化 | 第77-78页 |
| ·本章小结 | 第78-81页 |
| 第4章 高功率 VCSEL 列阵器件的热效应及新结构的设计 | 第81-101页 |
| ·列阵单元间距对热串扰的影响 | 第81-97页 |
| ·列阵器件的热串扰问题 | 第81-82页 |
| ·模型几何 | 第82-83页 |
| ·求解域 | 第83-85页 |
| ·模型数据 | 第85-89页 |
| ·模拟结果 | 第89-97页 |
| ·新结构的设计及模拟结果 | 第97-99页 |
| ·本章小结 | 第99-101页 |
| 第5章 总结与展望 | 第101-105页 |
| 参考文献 | 第105-115页 |
| 在学期间学术成果情况 | 第115-117页 |
| 指导教师及作者简介 | 第117-119页 |
| 致谢 | 第119页 |