| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 前言 | 第9-12页 |
| 第二章 文献综述 | 第12-30页 |
| ·ZnO的基本性质 | 第12-14页 |
| ·ZnO的光电性能与应用 | 第14-18页 |
| ·ZnO的能带结构 | 第14-16页 |
| ·ZnO的光学性能 | 第16-18页 |
| ·Zn_(1-x)Mg_xO三元合金 | 第18-20页 |
| ·ZnMgO/ZnO多层结构 | 第20-28页 |
| ·ZnMgO/ZnO异质结、超晶格 | 第20-24页 |
| ·ZnMgO/ZnO多量子阱 | 第24-28页 |
| ·本文的研究内容 | 第28-30页 |
| 第三章 实验原理和实验过程 | 第30-41页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD)概述 | 第30-31页 |
| ·PLD的基本原理 | 第31-33页 |
| ·PLD特点 | 第33-34页 |
| ·PLD薄膜生长实验系统简介 | 第34-37页 |
| ·实验方法 | 第37-38页 |
| ·薄膜质量及性能表征 | 第38-41页 |
| 第四章 工艺参数对Si(111)衬底上生长ZnO薄膜的影响 | 第41-58页 |
| ·引言 | 第41页 |
| ·衬底温度对ZnO薄膜性能的影响 | 第41-46页 |
| ·氧压对ZnO薄膜性能的影响 | 第46-50页 |
| ·激光脉冲能量对ZnO薄膜性能的影响 | 第50-51页 |
| ·激光重复频率对ZnO薄膜性能的影响 | 第51-53页 |
| ·退火对ZnO薄膜性能的影响 | 第53-55页 |
| ·缓冲层对ZnO薄膜性能的影响 | 第55-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 工艺参数对Si(111)衬底上生长Zn_(1-x)Mg_xO薄膜的影响 | 第58-65页 |
| ·衬底温度对Zn_(1-x)Mg_xO薄膜性能的影响 | 第58-60页 |
| ·氧压对Zn_(1-x)Mg_xO薄膜性能的影响 | 第60-61页 |
| ·激光重复频率对Zn_(1-x)Mg_xO薄膜表面粗糙度的影响 | 第61-62页 |
| ·Zn_(1-x)Mg_xO薄膜的禁带宽度 | 第62-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 第六章 Si(111)衬底上生长ZnMgO/ZnO量子阱结构 | 第65-75页 |
| ·引言 | 第65-66页 |
| ·ZnMgO/ZnO/ZnMgO单量子阱结构 | 第66-68页 |
| ·ZnMgO/ZnO/ZnMgO多量子阱结构 | 第68-74页 |
| ·本章小结 | 第74-75页 |
| 第七章 结论 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-82页 |
| 致谢 | 第82-83页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第83页 |
