| 致谢 | 第1-5页 |
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 目次 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-20页 |
| ·前言 | 第9-10页 |
| ·NPT型IGBT的结构特征和工作机理 | 第10-14页 |
| ·NPT型IGBT的结构特征 | 第10-12页 |
| ·NPT型IGBT的工作机理 | 第12-14页 |
| ·IGBT建模的关键点及模型的分类 | 第14-18页 |
| ·IGBT建模的关键点 | 第14-16页 |
| ·IGBT模型的分类 | 第16-18页 |
| ·本文的研究内容及意义 | 第18-20页 |
| ·本文研究的意义 | 第18-19页 |
| ·本文的研究内容 | 第19-20页 |
| 第二章 NPT型IGBT模型的理论推导 | 第20-37页 |
| ·双极输运理论 | 第20-22页 |
| ·NPT型IGBT稳态模型 | 第22-32页 |
| ·准中性基区电子和空穴电流表达式 | 第22-27页 |
| ·发射极-基极电势差(V_(eb))表达式 | 第27-29页 |
| ·稳态Ⅰ-Ⅴ特性关系 | 第29-32页 |
| ·NPT型IGBT关断暂态模型 | 第32-36页 |
| ·关断暂态时准中性基区过剩载流子总电荷量变化率dQ/dt | 第32-34页 |
| ·关断暂态时IGBT阳极-阴极电压变化率dV_(AC)/dt | 第34-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 模型参数的提取 | 第37-47页 |
| ·芯片有效面积A的提取 | 第37页 |
| ·大注入过剩载流子寿命τ_(HL)的提取 | 第37-43页 |
| ·理论分析 | 第38-41页 |
| ·实验提取 | 第41-43页 |
| ·参数N_B、W_B和I_(sne)的提取 | 第43-44页 |
| ·参数N_B的提取 | 第43-44页 |
| ·参数W_B的提取 | 第44页 |
| ·参数I_(sne)的提取 | 第44页 |
| ·参数K_p和V_T的提取 | 第44-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 模型的验证 | 第47-61页 |
| ·稳态模型的验证 | 第47-48页 |
| ·关断暂态模型的验证 | 第48-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 第五章 总结与展望 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-68页 |
| 作者简历 | 第68页 |