摘要 | 第1-7页 |
ABSTRACT | 第7-9页 |
目录 | 第9-13页 |
第一章 绪论 | 第13-40页 |
·引言 | 第13-16页 |
·ZnO的结构和性质 | 第16-23页 |
·ZnO的晶体结构 | 第16页 |
·ZnO的基本性质 | 第16-17页 |
·ZnO的能带结构 | 第17-18页 |
·ZnO的光学性质 | 第18-22页 |
·ZnO的电学性质 | 第22-23页 |
·ZnO材料的生长 | 第23-33页 |
·ZnO单晶的生长 | 第23-24页 |
·ZnO薄膜的生长 | 第24-33页 |
·ZnO薄膜的应用 | 第33-35页 |
·透明电极 | 第33页 |
·压敏元件 | 第33页 |
·气敏元件 | 第33-34页 |
·发光器件 | 第34页 |
·紫外探测器 | 第34-35页 |
·本论文研究内容和意义 | 第35-37页 |
·本论文的选题背景 | 第35页 |
·本论文的主要内容 | 第35-37页 |
参考文献 | 第37-40页 |
第二章 ZnO薄膜的磁控溅射生长及光致发光特性 | 第40-63页 |
·引言 | 第40-41页 |
·实验设备介绍 | 第41-42页 |
·ZnO薄膜的制备过程 | 第42页 |
·溅射参数对生长ZnO薄膜的影响 | 第42-49页 |
·生长温度对ZnO薄膜的影响 | 第43-45页 |
·生长气氛对ZnO薄膜的影响 | 第45-46页 |
·溅射功率对ZnO薄膜的影响 | 第46-49页 |
·ZnO薄膜的光致发光特性研究 | 第49-60页 |
·PL光谱测量的原理和装置 | 第49页 |
·ZnO薄膜的低温紫外发光机理 | 第49-52页 |
·ZnO薄膜的低温紫外PL光谱分析 | 第52-55页 |
·激子复合发光能量与温度的关系 | 第55-57页 |
·激子复合发光强度与温度的关系 | 第57-58页 |
·ZnO薄膜的低温可见PL光谱分析 | 第58-60页 |
·本章小结 | 第60-61页 |
参考文献 | 第61-63页 |
第三章 热退火对ZnO薄膜的影响 | 第63-76页 |
·样品的制备和表征 | 第63-64页 |
·样品制备 | 第63页 |
·样品表征 | 第63-64页 |
·结果与讨论 | 第64-74页 |
·退火温度的选择 | 第64-65页 |
·ZnO薄膜的XPS谱 | 第65-66页 |
·ZnO薄膜的透射光谱 | 第66-67页 |
·ZnO薄膜的吸收光谱 | 第67-68页 |
·n-ZnO/p-Si异质结的I-V特性 | 第68-74页 |
·本章小结 | 第74-75页 |
参考文献 | 第75-76页 |
第四章 Al_2O_3过渡层对ZnO薄膜的影响 | 第76-92页 |
·引言 | 第76-78页 |
·过渡层理论模型 | 第78-80页 |
·实验过程 | 第80-81页 |
·样品制备 | 第80页 |
·样品表征 | 第80-81页 |
·结果与讨论 | 第81-89页 |
·优化条件生长Al_2O_3过渡层 | 第81-82页 |
·Al_2O_3过渡层对ZnO薄膜形貌的影响 | 第82-83页 |
·Al_2O_3过渡层生长ZnO薄膜的GIXRD谱 | 第83-86页 |
·Al_2O_3过渡层生长ZnO薄膜的Raman散射光谱 | 第86-88页 |
·Al_2O_3过渡层对ZnO薄膜发光的影响 | 第88-89页 |
·本章小结 | 第89-90页 |
参考文献 | 第90-92页 |
第五章 ZnO薄膜的N掺杂 | 第92-116页 |
·引言 | 第92-97页 |
·样品的制备和表征 | 第97-98页 |
·样品制备 | 第97页 |
·样品表征 | 第97-98页 |
·结果与讨论 | 第98-110页 |
·N掺杂ZnO薄膜的XRD谱 | 第98-99页 |
·N掺杂ZnO薄膜的XPS谱 | 第99-101页 |
·N掺杂ZnO薄膜的EPR谱 | 第101-102页 |
·N掺杂ZnO薄膜的形貌 | 第102-103页 |
·N掺杂ZnO薄膜的Raman谱 | 第103-105页 |
·N掺杂ZnO薄膜的PL光谱 | 第105-107页 |
·N掺杂ZnO薄膜的Hall效应测量 | 第107-109页 |
·N掺杂ZnO薄膜的I-V特性 | 第109-110页 |
·本章小结 | 第110-112页 |
参考文献 | 第112-116页 |
第六章 总结与展望 | 第116-119页 |
·总结 | 第116-117页 |
·展望 | 第117-119页 |
致谢 | 第119-120页 |
在读期间发表的学术论文与取得的研究成果 | 第120页 |