| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-26页 |
| ·Si基SiGe光电探测器的研究进展 | 第13-16页 |
| ·SiGe/Si多量子阱材料探测器 | 第13-15页 |
| ·高组分表面起伏的多量子阱和Ge量子点材料探测器 | 第15-16页 |
| ·Si基纯Ge材料外延及其光电探测器发展 | 第16-20页 |
| ·组份渐变SiGe弛豫衬底上生长Ge层 | 第17页 |
| ·组份跳变Si_(1-x)Ge_x缓冲层再外延Ge层 | 第17-18页 |
| ·低温生长的柔性衬底上再外延比较厚的Ge层 | 第18-19页 |
| ·热应力增强Ge吸收 | 第19-20页 |
| ·器件结构的选择 | 第20-22页 |
| ·本论文的主要工作和创新点 | 第22-24页 |
| 参考文献 | 第24-26页 |
| 第二章 金属-半导体-金属共振腔增强型探测器的基本理论 | 第26-41页 |
| ·MSM探测器的基本理论 | 第26-34页 |
| ·MSM探测器的工作原理 | 第26-30页 |
| ·MSM探测器的电流-电压特性 | 第30-31页 |
| ·MSM探测器的电容-电压特性 | 第31-32页 |
| ·MSM探测器的几个主要性能参数 | 第32-34页 |
| ·响应度和量子效率 | 第32页 |
| ·响应时间τ | 第32-33页 |
| ·暗电流I_D | 第33-34页 |
| ·RCE探测器理论 | 第34-39页 |
| ·RCE探测器自恰解析理论 | 第34-35页 |
| ·RCE探测器传输矩阵模拟 | 第35-37页 |
| ·影响RCE探测器量子效率的因素 | 第37-38页 |
| ·RCE探测器的波长选择特性 | 第38-39页 |
| ·RCE探测器的驻波效应 | 第39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 参考文献 | 第40-41页 |
| 第三章 Si基外延纯Ge材料的生长及表征 | 第41-53页 |
| ·生长及表征设备介绍 | 第41-45页 |
| ·本实验室材料生长设备介绍 | 第41-44页 |
| ·材料表征设备 | 第44-45页 |
| ·双晶X射线衍射测试技术(DCXRD) | 第44-45页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第45页 |
| ·Si基外延Ge薄膜生长及表征 | 第45-51页 |
| ·Si基外延Ge薄膜的生长及表征 | 第45-49页 |
| ·SOI基外延Ge薄膜的生长及表征 | 第49-51页 |
| ·总结与讨论 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-53页 |
| 第四章 Si基Ge探测器的制作与性能测试 | 第53-79页 |
| ·Si基外延纯Ge MSM光电探测器 | 第53-69页 |
| ·MSM光电探测器的设计 | 第53-55页 |
| ·Si基外延纯Ge MSM光电探测器的制作工艺 | 第55-64页 |
| ·Si基外延纯Ge光电探测器的性能测试和结果讨论 | 第64-69页 |
| ·器件的Ⅰ-Ⅴ特性 | 第64-65页 |
| ·光响应谱特性 | 第65-67页 |
| ·响应度的测试 | 第67-69页 |
| ·SOI基纯Ge探测器 | 第69-77页 |
| ·SOI基纯Ge RCE探测器的结构设计和模拟 | 第69-72页 |
| ·器件结构设计 | 第69-70页 |
| ·布拉格反射镜的设计和综合优化 | 第70-72页 |
| ·SOI基纯Ge探测器的制备和测试 | 第72-77页 |
| ·SOI基纯Ge RCE-MSM探测器的制备 | 第72-73页 |
| ·SOI基Ge探测器的性能测试和结果讨论 | 第73-77页 |
| ·器件的Ⅰ-Ⅴ特性 | 第73-74页 |
| ·光响应谱特性 | 第74-75页 |
| ·响应度的测试 | 第75-77页 |
| ·本章小结 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-79页 |
| 第五章 结语 | 第79-80页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第80-81页 |
| 致谢 | 第81页 |