一种CMOS射频低噪声放大器的设计
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·课题意义 | 第7-8页 |
| ·无线射频前端结构概述 | 第8-10页 |
| ·CMOS低噪声放大器的性能指标 | 第10-11页 |
| ·本文的研究内容及工作安排 | 第11-13页 |
| 第二章 CMOS无源器件 | 第13-18页 |
| ·电感 | 第13-15页 |
| ·MIM电容 | 第15-16页 |
| ·电阻 | 第16-17页 |
| ·本章小结 | 第17-18页 |
| 第三章 MOSFET设计模型及噪声分析 | 第18-34页 |
| ·MOSFET中的一阶效应 | 第18-20页 |
| ·MOSFET的二阶效应 | 第20-22页 |
| ·背栅效应 | 第20-21页 |
| ·沟道长度调制效应 | 第21页 |
| ·亚阀值区工作情况描述 | 第21页 |
| ·垂直电场方向上载流子迁移率变化 | 第21-22页 |
| ·短沟道器件中的效应 | 第22-24页 |
| ·载流子速度饱和效应 | 第22-23页 |
| ·热载流子效应 | 第23页 |
| ·阀值电压下降 | 第23-24页 |
| ·射频下MOSFET特性 | 第24-28页 |
| ·MOSFET中的电容 | 第24-25页 |
| ·栅极分布电阻 | 第25-26页 |
| ·沟道电阻与过渡时间效应 | 第26-28页 |
| ·MOSFET射频小信号模型 | 第28-29页 |
| ·MOSFET高频噪声模型 | 第29-30页 |
| ·MOSFET二端口网络噪声分析 | 第30-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第四章 低噪声放大器的非线性分析 | 第34-43页 |
| ·非线性定义 | 第34页 |
| ·非线性造成的影响 | 第34-38页 |
| ·谐波失真 | 第34-35页 |
| ·增益压缩(1dB)压缩点 | 第35-36页 |
| ·互调失真 | 第36-37页 |
| ·交调失真 | 第37-38页 |
| ·volterra级数分析LNA非线性 | 第38-42页 |
| ·volterra级数简介 | 第39-40页 |
| ·共源极三阶交调表达式的推导 | 第40-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第五章 CMOS射频低噪声放大器设计 | 第43-73页 |
| ·低噪声放大器简介 | 第43页 |
| ·CMOS低噪声放大器的电路组态 | 第43-54页 |
| ·输入端并联电阻共源结构 | 第43-45页 |
| ·跨导匹配共栅放大器结构 | 第45-46页 |
| ·并联—串联反馈结构 | 第46-48页 |
| ·电感源极负反馈结构 | 第48-54页 |
| ·cascode结构低噪声放大器 | 第54-59页 |
| ·cascode放大器噪声分析 | 第54-59页 |
| ·低噪声放大器的噪声优化 | 第59-63页 |
| ·固定G_m优化 | 第62页 |
| ·固定P_D优化 | 第62-63页 |
| ·CMOS射频低噪声放大器的实现 | 第63-69页 |
| ·CMOS射频低噪声放大器的设计步骤 | 第65页 |
| ·CMOS射频低噪声放大器的仿真 | 第65-69页 |
| ·版图设计原则 | 第69-72页 |
| ·本章小结 | 第72-73页 |
| 第六章 工作总结及建议 | 第73-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-79页 |
| 附录A 二端口网络噪声理论 | 第79-83页 |
| 附录B 电感源极负反馈结构噪声系数推导 | 第83-89页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第89-90页 |
