| 摘要 | 第1-9页 |
| ABSTRACT | 第9-11页 |
| 第一章 纳米科技和一维纳米结构的研究进展 | 第11-49页 |
| ·引言 | 第11-12页 |
| ·纳米材料的结构、性质、应用和表征 | 第12-25页 |
| ·纳米材料的结构特点及带来的特殊效应 | 第12-17页 |
| ·纳米材料的特殊性质 | 第17-19页 |
| ·纳米材料的应用领域 | 第19-21页 |
| ·纳米材料的主要表征手段 | 第21-25页 |
| ·纳米材料的主要合成方法 | 第25-32页 |
| ·气相法 | 第26-27页 |
| ·固相法 | 第27-28页 |
| ·液相法 | 第28-32页 |
| ·一维纳米材料的研究进展 | 第32-40页 |
| ·纳米材料的分类 | 第32页 |
| ·一维纳米材料的主要制备方法 | 第32-37页 |
| ·一维纳米材料的应用进展 | 第37-38页 |
| ·碳纳米管的研究进展 | 第38-39页 |
| ·一维多级纳米结构的研究进展 | 第39-40页 |
| ·本文的研究内容 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-49页 |
| 第二章 低温下合成片—球—管三级CuS结构 | 第49-65页 |
| ·引言 | 第49-50页 |
| ·实验部分 | 第50-51页 |
| ·结果和讨论 | 第51-61页 |
| ·产物的物相表征和形貌研究 | 第51-53页 |
| ·对于反应1h时产生的Cu_3(TAA)_3Cl_3棒状中间体的研究 | 第53-56页 |
| ·片—球—管三级结构的生长机理研究 | 第56-58页 |
| ·不同反应条件对于所生成结构的影响 | 第58-60页 |
| ·产物的光学和比表面性质 | 第60-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-65页 |
| 第三章 一种全新的合成三元半导体材料多级管型结构的普适方法 | 第65-81页 |
| ·引言 | 第65-68页 |
| ·实验部分(以CuInS_2的合成为代表) | 第68-69页 |
| ·结果和讨论 | 第69-75页 |
| ·产物的物相表征和形貌研究 | 第69-72页 |
| ·反应过程和生长机理研究 | 第72-74页 |
| ·通过控制前驱物尺寸实现对产物的形貌控制 | 第74-75页 |
| ·将原位自牺牲模板路线扩展为一条制备CuMS材料纳米管状结构(M=ⅢA,ⅣA,ⅤA,ⅧB族元素)的普适线路 | 第75-78页 |
| ·M=ⅣA族CuMS材料的制备结果 | 第75-76页 |
| ·M=ⅤA族CuMS材料的制备结果 | 第76-77页 |
| ·M=ⅧB族CuMS材料的制备结果 | 第77-78页 |
| ·结论 | 第78页 |
| ·本章小结和展望 | 第78页 |
| 参考文献 | 第78-81页 |
| 第四章 特殊形貌碳管束结构的低温合成 | 第81-93页 |
| ·引言 | 第81-84页 |
| ·实验过程 | 第84页 |
| ·产物的表征 | 第84-87页 |
| ·生长机理研究和反应条件的影响 | 第87-89页 |
| ·产物的性质研究 | 第89-90页 |
| ·本章小结 | 第90页 |
| 参考文献 | 第90-93页 |
| 第五章 Y型空心碳纳米树结构的低温合成 | 第93-103页 |
| ·Y型空心碳纳米树结构的研究背景 | 第93-94页 |
| ·实验部分 | 第94页 |
| ·产物的表征 | 第94-98页 |
| ·生长机理研究 | 第98-100页 |
| ·改变反应条件的对比实验结果 | 第100-101页 |
| ·本章小结 | 第101页 |
| 参考文献 | 第101-103页 |
| 致谢 | 第103-104页 |
| 附录 | 第104页 |