VO2薄膜生长及平面集成探测器阵列的设计
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-18页 |
| ·非致冷红外探测器发展现状 | 第9-12页 |
| ·热释电探测器 | 第10页 |
| ·测辐射热探测器 | 第10-12页 |
| ·测辐射热探测器材料的选择 | 第12-15页 |
| ·二氧化钒薄膜的制备工艺 | 第15-17页 |
| ·本文主要研究内容 | 第17-18页 |
| 2 二氧化钒薄膜的制备技术及测试方法 | 第18-28页 |
| ·磁控溅射设备 | 第18-20页 |
| ·溅射镀膜方法介绍 | 第18-19页 |
| ·溅射镀膜法具有以下优点 | 第19-20页 |
| ·直流磁控溅射VO_2 薄膜工艺流程 | 第20-24页 |
| ·清洗 | 第21-22页 |
| ·缓冲层制备 | 第22-23页 |
| ·反应溅射二氧化钒薄膜 | 第23-24页 |
| ·实验参数选择 | 第24-25页 |
| ·薄膜结构表征方法介绍 | 第25-28页 |
| ·X 射线衍射（XRD） | 第25-26页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM） | 第26-28页 |
| 3 薄膜结构测试与分析 | 第28-39页 |
| ·样品制备 | 第28页 |
| ·衬底温度对薄膜结构与性能的影响 | 第28-35页 |
| ·氧分压对薄膜结构与性能的影响 | 第35-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 4 薄膜电学性能测试 | 第39-41页 |
| ·薄膜方阻测试 | 第39-40页 |
| ·结果分析 | 第40-41页 |
| 5 MTFET 器件设计与制作 | 第41-56页 |
| ·器件结构设计 | 第41-43页 |
| ·热探测器常见结构 | 第41-42页 |
| ·MTFET 器件结构设计 | 第42-43页 |
| ·MTFET 器件设计思路 | 第43-44页 |
| ·红外吸收层设计 | 第44-45页 |
| ·常用微加工技术 | 第45-47页 |
| ·光刻技术 | 第45-47页 |
| ·剥离技术（lift off） | 第47页 |
| ·平面架空层结构制备 | 第47-48页 |
| ·MTFET 器件制作工艺流程 | 第48-55页 |
| ·栅、源、漏bus 线制备 | 第49-50页 |
| ·悬空支撑结构制备 | 第50-51页 |
| ·栅电极层制备 | 第51-52页 |
| ·红外辐射吸收结构制备 | 第52-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 6 总结 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 附录 1 攻读硕士学位期间发表论文目录 | 第63页 |
