摘要 | 第1-9页 |
Abstract | 第9-11页 |
第一章 绪论 | 第11-17页 |
·微波介质陶瓷的介电特性 | 第11-13页 |
·介电常数 | 第11-12页 |
·品质因数Q | 第12页 |
·谐振频率的温度系数 | 第12-13页 |
·微波介质陶瓷薄膜的性能要求和制备技术 | 第13-14页 |
·性能要求 | 第13页 |
·制备技术 | 第13-14页 |
·微波介质陶瓷薄膜BaO-SrO-ZnO-Nb_2O_5 的研究意义和现状 | 第14页 |
·本文的选题依据和主要实验内容 | 第14-17页 |
·选题依据 | 第14-15页 |
·主要实验内容 | 第15-17页 |
第二章 实验原理、实验设备与测试表征技术 | 第17-21页 |
·实验设备 | 第17-18页 |
·薄膜制备的磁控溅射系统 | 第17-18页 |
·薄膜的退火与生长系统 | 第18页 |
·实验材料 | 第18-19页 |
·靶材的制备 | 第18-19页 |
·衬底的处理 | 第19页 |
·测试和表征方法介绍 | 第19-21页 |
·结构和成分测试的分析 | 第19-20页 |
·表面形貌观察 | 第20-21页 |
第三章 磁控溅射工艺参数对BaO-SrO-ZnO-Nb_2O_5薄膜的影响 | 第21-45页 |
·靶材成分对BaO-SrO-ZnO-Nb_2O_5 薄膜的影响 | 第21-23页 |
·利用化学计量比的(Ba_(0.3)Sr_(0.7))(Zn_(1/3)Nb_(2/3))0_3 靶材制备薄膜 | 第21-22页 |
·利用非化学计量比的(Ba_(0.3)Sr_(0.7))(Zn_(1/3)Nb_(2/3))0_3 靶材制备薄膜 | 第22-23页 |
·氧氩比对BaO-SrO-ZnO-Nb_2O_5 薄膜的影响 | 第23-38页 |
·X 射线衍射分析 | 第24-25页 |
·X 射线光电子能谱(XPS)分析 | 第25-30页 |
·扫描电镜(SEM)分析 | 第30-33页 |
·原子力显微镜(AFM)分析 | 第33-36页 |
·透射电子显微镜(TEM)分析 | 第36-37页 |
·小结 | 第37-38页 |
·基片温度对BaO-SrO-ZnO-Nb_2O_5 薄膜的影响 | 第38-45页 |
·X 射线衍射分析 | 第38-40页 |
·X 射线光电子能谱(XPS)分析 | 第40-41页 |
·扫描电镜(SEM)分析 | 第41-42页 |
·原子力显微镜(AFM)分析 | 第42-44页 |
·小结 | 第44-45页 |
第四章 退火工艺参数对BaO-SrO-ZnO-Nb_2O_5薄膜的影响 | 第45-63页 |
·退火在薄膜制备过程中的必要性 | 第45-48页 |
·退火温度对BaO-SrO-ZnO-Nb_2O_5 薄膜的影响 | 第48-55页 |
·X 射线衍射分析 | 第48-50页 |
·X 射线光电子能谱(XPS)分析 | 第50-51页 |
·扫描电镜(SEM)分析 | 第51-52页 |
·原子力显微镜(AFM)分析 | 第52-54页 |
·小结 | 第54-55页 |
·退火时间对BaO-SrO-ZnO-Nb_2O_5 薄膜的影响 | 第55-60页 |
·X 射线衍射分析 | 第55-56页 |
·扫描电镜(SEM)分析 | 第56-57页 |
·原子力显微镜(AFM)分析 | 第57-59页 |
·小结 | 第59-60页 |
·BaO-SrO-ZnO-Nb_2O_5 薄膜制备结果比较与最优设计 | 第60-63页 |
·X 射线衍射分析比较 | 第60-61页 |
·扫描电镜(SEM)分析 | 第61-62页 |
·BaO-SrO-ZnO-Nb_2O_5 薄膜的最优设计 | 第62-63页 |
第五章 结论 | 第63-65页 |
·本文的主要研究结果 | 第63-64页 |
·对今后工作的建议 | 第64-65页 |
参考文献 | 第65-71页 |
发表论文 | 第71-72页 |
致谢 | 第72页 |