| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·引言 | 第7页 |
| ·纳米电路中量子涨落研究的发展情况 | 第7-10页 |
| ·本文所做的主要工作 | 第10-13页 |
| 第二章 基础知识 | 第13-23页 |
| ·介观体系的量子效应 | 第13-17页 |
| ·相位干涉现象 | 第13-15页 |
| ·库仑阻塞现象 | 第15页 |
| ·普适电导涨落 | 第15-17页 |
| ·纳米电子学、纳米电子技术和纳米光电子学的发展及现状 | 第17-23页 |
| ·纳米电子学 | 第17页 |
| ·纳米电子技术 | 第17-20页 |
| ·纳米光电子学 | 第20-23页 |
| 第三章 介观LC、RLC电路的量子效应 | 第23-31页 |
| ·介观LC电路的量子涨落 | 第23-27页 |
| ·介观RLC电路的量子涨落 | 第27-31页 |
| 第四章 纳米含源有耗散无耦合电路中电流的量子涨落 | 第31-37页 |
| ·引言 | 第31页 |
| ·系统的Hamilton量 | 第31-33页 |
| ·库仑阻塞效应 | 第33-34页 |
| ·系统的能级和量子涨落 | 第34-36页 |
| ·总结 | 第36-37页 |
| 第五章 纳米有耗散电感耦合电路中电流的量子涨落 | 第37-43页 |
| ·引言 | 第37页 |
| ·纳米有耗散电感耦合电路Hamiton量的量子化 | 第37-38页 |
| ·电路的能级和电路中电流的量子涨落 | 第38-41页 |
| ·结论 | 第41-43页 |
| 第六章 纳米含源非耗散耦合电路中电流的量子涨落 | 第43-55页 |
| ·纳米含源非耗散耦合电路的哈密顿量 | 第43-49页 |
| ·双网孔非耗散耦合电路分析 | 第43-46页 |
| ·三网孔非耗散耦合电路分析 | 第46-49页 |
| ·任意网孔非耗散耦合电路分析 | 第49页 |
| ·n个网孔耦合电路的量子化 | 第49-50页 |
| ·n个网孔纳米含源非耗散耦合电路中电流的量子涨落 | 第50-53页 |
| ·总结 | 第53-55页 |
| 第七章 总结与期望 | 第55-59页 |
| ·总结 | 第55-56页 |
| ·展望 | 第56-59页 |
| 致谢 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 研究成果 | 第65页 |
| 硕士在读期间参加科研项目情况 | 第65页 |