超宽带低噪声GaAs MMIC
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·宽频带低噪声放大器概述 | 第9-14页 |
| ·平衡式放大器 | 第10-11页 |
| ·反馈式放大器 | 第11-13页 |
| ·有耗匹配式放大器 | 第13页 |
| ·行波式放大器 | 第13页 |
| ·有源匹配式放大器 | 第13-14页 |
| ·微波放大器的稳定性分析 | 第14-16页 |
| ·选题背景 | 第16-17页 |
| ·研究工作内容 | 第17-19页 |
| 第二章 GaAs低噪声MMIC电路的设计 | 第19-53页 |
| ·材料的选择 | 第19-21页 |
| ·有源器件的设计 | 第21-23页 |
| ·无源元件的设计 | 第23-38页 |
| ·平面电容 | 第23-27页 |
| ·平面电感 | 第27-32页 |
| ·平面电阻 | 第32-34页 |
| ·微带传输线 | 第34-38页 |
| ·电路拓扑及网络设计 | 第38-49页 |
| ·行波放大器工作原理 | 第38-41页 |
| ·源电感反馈的原理 | 第41-49页 |
| ·微波晶体管的等增益圆 | 第42-43页 |
| ·微波晶体管的等噪声圆 | 第43-44页 |
| ·源电感反馈的原理 | 第44-49页 |
| ·偏置电路的设计 | 第49页 |
| ·单片电路的CAD优化及版图设计 | 第49-53页 |
| ·单片电路的CAD优化 | 第49-50页 |
| ·单片电路的版图设计 | 第50-53页 |
| 第三章 GaAs低噪声MMIC电路的研制过程 | 第53-65页 |
| ·单片电路研究阶段 | 第53-59页 |
| ·FET工艺 | 第53-55页 |
| ·元件工艺 | 第55-59页 |
| ·主要工艺流程 | 第59-60页 |
| ·关键工艺 | 第60-65页 |
| ·0.20μm栅长“T”形栅的光刻与制作 | 第60-63页 |
| ·挖槽工艺 | 第63页 |
| ·金属化 | 第63页 |
| ·背面通孔 | 第63-64页 |
| ·电容介质厚度的控制 | 第64-65页 |
| 第四章 研制GaAs低噪声MMIC的测试技术 | 第65-73页 |
| ·直流参数测试的研究 | 第65-66页 |
| ·噪声参数测试的研究 | 第66-68页 |
| ·有源器件S参数测试 | 第68-69页 |
| ·电路的微波参数测试 | 第69-73页 |
| 第五章 GaAs低噪声MMIC的研制结果及分析 | 第73-77页 |
| ·研制结果与分析 | 第73-76页 |
| ·研制结果 | 第73-75页 |
| ·性能测试分析 | 第75-76页 |
| ·应用前景 | 第76-77页 |
| 第六章 结论 | 第77-79页 |
| 致谢 | 第79-81页 |
| 参考文献 | 第81-83页 |
| 研究成果 | 第83-84页 |
