逆变器的电磁干扰及其干扰模型研究
摘要 | 第1-4页 |
Abstract | 第4-7页 |
1. 前言 | 第7-11页 |
·电磁兼容及电磁干扰的危害 | 第7页 |
·电力电子装置引入的电磁干扰 | 第7-8页 |
·电力电子装置电磁干扰问题的研究现状 | 第8-10页 |
·电力电子装置传导 EMI研究现状 | 第8-9页 |
·电力电子装置辐射 EMI研究现状 | 第9-10页 |
·选题依据与本文主要研究内容 | 第10-11页 |
2. 电磁场的基本理论 | 第11-20页 |
·电磁场计算的基本方程 | 第11-12页 |
·电磁场中场域的划分 | 第12-13页 |
·电磁场的计算方法 | 第13-17页 |
·ANSYS分析系统简介 | 第17-19页 |
·ANSYS软件简介 | 第17页 |
·ANSYS的操作方式 | 第17页 |
·用 ANSYS软件进行高频电磁场分析的主要步骤 | 第17-19页 |
·ANSYS软件在本课题研究中需要解决的问题 | 第19页 |
·本章小结 | 第19-20页 |
3 逆变器电路近场分析 | 第20-37页 |
·参数化设计语言 APDL | 第20-24页 |
·什么是 APDL | 第20-21页 |
·自定义工具条 | 第21页 |
·定义参数 | 第21-22页 |
·传递参数 | 第22页 |
·建立内部数据库 | 第22-23页 |
·进行数学运算 | 第23-24页 |
·显示提示信息 | 第24页 |
·逆变电路的参数化建模 | 第24-37页 |
·参数化电路建模程序编写 | 第24-27页 |
·电路元件的建模分析 | 第27-30页 |
·半桥逆变电路建模 | 第30-33页 |
·逆变全桥电路建模 | 第33-35页 |
·仿真结果分析 | 第35-37页 |
4 逆变器辐射 EMI建模研究 | 第37-62页 |
·吸收边界条件 | 第37-39页 |
·完全匹配层 | 第37-38页 |
·等效源表面 | 第38-39页 |
·逆变器的辐射源和辐射模型 | 第39页 |
·逆变器共模干扰研究 | 第39-52页 |
·散热器的辐射 | 第40-41页 |
·散热器的计算模型 | 第41-43页 |
·仿真及分析 | 第43-52页 |
·逆变器差模干扰研究 | 第52-60页 |
·高频电流环路的辐射 | 第52-54页 |
·高频电流环路的计算模型 | 第54页 |
·仿真及分析 | 第54-60页 |
·本章小结 | 第60-62页 |
5 仿真实验验证 | 第62-69页 |
·MOSFET模型实验验证 | 第62页 |
·实验原理 | 第62-64页 |
·实验结果分析比较 | 第64-69页 |
·单管MOSFET实验 | 第64-65页 |
·双管MOSFET实验 | 第65-69页 |
全文总结 | 第69-70页 |
致谢 | 第70-71页 |
参考文献 | 第71-74页 |
攻读硕士学位期间发表的论文 | 第74页 |