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铁磁近邻作用下二维电子气体系的自旋相关输运研究

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-11页
第一章 绪论第11-33页
 §1.1 几种典型的二维电子气体系第11-21页
  §1.1.1 半导体异质结量子阱第11-13页
  §1.1.2 单层石墨片—石墨烯第13-17页
  §1.1.3 三维拓扑绝缘体表面第17-21页
 §1.2 二维电子气体系的物理性质第21-28页
 §1.3 二维电子气的应用背景第28-31页
 §1.4 本文选题与主要研究内容第31-33页
第二章 介观输运理论中的转移矩阵方法第33-41页
 §2.1 介观输运理论第33-34页
 §2.2 转移矩阵第34-39页
 §2.3 Landauer-Buttiker公式第39-41页
第三章 半导体异质结二维电子气第41-51页
 §3.1 研究背景第41页
 §3.2 磁垒调节下自旋相关电导与磁阻第41-48页
  §3.2.1 模型描述与公式推导第41-44页
  §3.2.2 结果与讨论第44-48页
 §3.3 本章小结第48-51页
第四章 石墨烯及其纳米条带第51-78页
 §4.1 研究背景第51-52页
 §4.2 石墨烯及其纳米带电子能带结构第52-59页
 §4.3 磁垒调节下石墨烯的电导与磁阻第59-70页
  §4.3.1 模型描述与公式推导第59-62页
  §4.3.2 结果与讨论第62-70页
 §4.4 磁垒调节下扶手椅型边缘石墨烯条带的电导第70-76页
  §4.4.1 模型描述与公式推导第70-73页
  §4.4.2 结果与讨论第73-76页
 §4.5 本章小结第76-78页
第五章 三维拓扑绝缘体表面第78-94页
 §5.1 研究背景第78-79页
 §5.2 电磁超晶格作用下的电导与自旋极化分布第79-91页
  §5.2.1 模型描述与公式推导第79-83页
  §5.2.2 透射谱及电导与电垒和磁垒高度的关系第83-88页
  §5.2.3 电子自旋极化分布第88-91页
 §5.3 本章小结第91-94页
第六章 总结和展望第94-98页
 §6.1 全文总结第94-95页
 §6.2 本论文的主要创新点及科学意义第95-97页
 §6.3 后续工作展望第97-98页
参考文献第98-114页
致谢第114-116页
博士期间发表的论文与参加的科研项目第116-117页

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