| 摘要 | 第1-8页 |
| ABSTRACT | 第8-14页 |
| 目录 | 第14-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-20页 |
| 第二章 文献综述 | 第20-52页 |
| ·硅化钛薄膜 | 第20-29页 |
| ·硅化钛的组成及结构 | 第20-21页 |
| ·硅化钛的应用 | 第21-23页 |
| ·硅化钛薄膜的制备方法 | 第23-29页 |
| ·金属硅化物纳米线 | 第29-34页 |
| ·金属硅化物纳米线的性质 | 第29-30页 |
| ·金属硅化物纳米线的应用前景 | 第30页 |
| ·金属硅化物纳米线的制备 | 第30-34页 |
| ·低辐射镀膜玻璃 | 第34-41页 |
| ·低辐射镀膜玻璃的节能原理 | 第35-36页 |
| ·低辐射镀膜玻璃的种类 | 第36-38页 |
| ·低辐射镀膜玻璃的应用现状 | 第38-39页 |
| ·低辐射镀膜玻璃制备技术 | 第39-41页 |
| ·研究目的、意义和内容 | 第41-42页 |
| ·参考文献 | 第42-52页 |
| 第三章 实验方法 | 第52-58页 |
| ·APCVD硅化钛薄膜和纳米线的制备过程 | 第52-55页 |
| ·APCVD硅化钛实验装置 | 第52-53页 |
| ·实验操作 | 第53-55页 |
| ·测试设备及其原理 | 第55-58页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第55-56页 |
| ·透射电子显微镜(TEM) | 第56页 |
| ·场发射扫描电镜(FESEM) | 第56-57页 |
| ·薄膜电阻的测定 | 第57页 |
| ·紫外-可见光透射率测试 | 第57页 |
| ·红外反射率测试 | 第57-58页 |
| 第四章 玻璃基板上APCVD法硅化钛薄膜的制备与晶相形成研究 | 第58-84页 |
| ·APCVD法TiSi_2薄膜的制备与晶相形成研究 | 第58-75页 |
| ·APCVD法TiSi_2薄膜的制备 | 第58-61页 |
| ·SiH_4与TiCl_4生成TiSi_2的热力学分析 | 第61-66页 |
| ·TiSi_2薄膜的晶相形成机制 | 第66-71页 |
| ·TiSi_2薄膜生长的晶相堆积模型 | 第71-75页 |
| ·APCVD法Ti_5Si_3薄膜的制备与晶相形成的研究 | 第75-80页 |
| ·APCVD法Ti_5Si_3薄膜的制备 | 第75-78页 |
| ·SiH_4与TiCl_4生成Ti_5Si_3的热力学分析 | 第78-80页 |
| ·本章小结 | 第80-81页 |
| ·参考文献 | 第81-84页 |
| 第五章 晶相形成对硅化钛薄膜的电学与光学性能影响的研究 | 第84-100页 |
| ·晶相形成对硅化钛薄膜的电学性能影响的研究 | 第84-91页 |
| ·TiSi_2晶相形成与薄膜电学性能的关系 | 第84-90页 |
| ·Ti_5Si_3晶相形成与薄膜电学性能的关系 | 第90-91页 |
| ·晶相形成对硅化钛薄膜的光学性能影响的研究 | 第91-97页 |
| ·晶相形成与薄膜透射性能的关系 | 第91-95页 |
| ·晶相形成与薄膜反射性能的关系 | 第95-97页 |
| ·本章小节 | 第97-98页 |
| ·参考文献 | 第98-100页 |
| 第六章 常压化学气相沉积两步法制备TISI纳米线的研究 | 第100-118页 |
| ·APCVD两步法自诱导制备T(?)S(?)纳米线 | 第100-109页 |
| ·APCVD两步法TiSi纳米线的制备与形成的研究 | 第100-105页 |
| ·APCVD两步法TiSi纳米线的形成与生长机制研究 | 第105-109页 |
| ·制备条件对T(?)S(?)纳米线生长形态的影响 | 第109-116页 |
| ·本章小结 | 第116-117页 |
| ·参考文献 | 第117-118页 |
| 第七章 APCVD三步法制备TISI纳米钉和火箭状纳米线的研究 | 第118-136页 |
| ·APCVD三步法T(?)S(?)纳米钉的研究 | 第118-130页 |
| ·APCVD三步法TiSi纳米钉的制备与形成研究 | 第118-123页 |
| ·APCVD三步法TiSi纳米钉的生长与机制研究 | 第123-126页 |
| ·TiSi纳米钉生长的动力学分析 | 第126-130页 |
| ·APCVD三步法火箭状T(?)S(?)纳米线制备与形成研究 | 第130-133页 |
| ·本章小结 | 第133-134页 |
| ·参考文献 | 第134-136页 |
| 第八章 总结与展望 | 第136-140页 |
| ·总结 | 第136-139页 |
| ·展望 | 第139-140页 |
| 攻读博士期间发表的论文和申请的专利 | 第140-142页 |
| 致谢 | 第142-143页 |
